[发明专利]图案化衬底的方法

权利要求书

1.一种图案化衬底的方法，所述方法包括：

在衬底上或上方形成辅助层并且在所述辅助层上或上方形成等离子体蚀刻掩模层，其中，设置所述辅助层以使其可以比所述等离子体蚀刻掩模层更容易地从所述衬底上去除；

图案化所述等离子体蚀刻掩模层和所述辅助层以使所述衬底的至少一部分暴露；

通过使用所述图案化的等离子体蚀刻层作为等离子体蚀刻掩模来图案化所述衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括宽禁带材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底选自由以下组成的组：

碳化硅衬底；

氧化铝衬底；

金刚石衬底；

II-VI半导体衬底；

III-V半导体衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体蚀刻掩模层包括对所述衬底的材料具有高蚀刻选择性的材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述等离子体蚀刻掩模层包括对所述衬底的材料具有至少10:1的蚀刻选择性的材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体蚀刻掩模层包括金属。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属包括铜、镍中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助层包括碳或含碳的有机材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助层是碳层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助层包括选自由以下材料组成的组中的至少一种材料：

抗蚀材料；

酰亚胺材料；

聚四氟乙烯；

多孔绝缘材料；

沸石材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述衬底包括在所述衬底中形成至少一种下列结构：沟、槽、洞、通孔。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述衬底包括切割所述衬底。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述等离子体蚀刻掩模层和所述辅助层包括：

在所述等离子体蚀刻掩模层上或上方形成掩模层；

图案化所述掩模层，以使所述等离子体蚀刻掩模层的至少一部分暴露；

去除所述等离子体蚀刻掩模层至少一个暴露的部分以使所述辅助层的至少一部分暴露；

去除所述辅助层至少一个暴露的部分以使所述衬底的至少一部分暴露；

去除所述图案化的掩模层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述等离子体蚀刻掩模层和所述辅助层包括：

在所述等离子体蚀刻掩模层上或上方形成掩模层；

图案化所述掩模层以使所述等离子体蚀刻掩模层的至少一部分暴露；

去除所述等离子体蚀刻掩模层至少一个暴露的部分以使所述辅助层的至少一部分暴露；

去除所述图案化的掩模层；

去除所述辅助层至少一个暴露的部分以使所述衬底的至少一部分暴露。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底上或上方形成所述辅助层包括在所述衬底的背面上或上方形成所述辅助层。

16.根据权利要求1所述的方法，进一步地包括在图案化所述衬底之后，去除所述图案化的等离子体蚀刻掩模层和所述图案化的辅助层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，使用独立的处理步骤去除所述图案化的等离子体蚀刻掩模层和所述图案化的辅助层。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，在单个处理步骤中去除所述图案化的等离子体蚀刻掩模层和所述图案化的辅助层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，使用剥离工艺去除所述图案化的等离子体蚀刻掩模层和所述图案化的辅助层。