[发明专利]执行初始校正及全时更新模式校正的方法和记忆体电路有效
| 申请号： | 201210210859.6 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102710230A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 夏濬;洪森富;陈文伟 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H7/38 | 分类号： | H03H7/38 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;常大军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 执行 初始 校正 更新 模式 方法 记忆体 电路 | ||
1.一种执行初始校正及全时更新模式校正的方法，其特征在于，包含：
供电至一记忆体电路；
利用该阻抗匹配电路，对该记忆体电路执行该初始校正；
该记忆体电路离开该初始校正；
该记忆体电路进入一驱动模式；
每隔一预定时间该记忆体电路退出该驱动模式；
根据一更新指令，利用该阻抗匹配电路对该记忆体电路执行该更新模式校正；
一输出电压电位检测电路判断该记忆体电路的输出电压电位；及
根据该输出电压电位检测电路的判断结果，执行一相对应的动作。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据该输出电压电位检测电路的判断结果，执行该相对应的动作包含：
当该记忆体电路的输出电压电位低于一低参考电压时，调整该阻抗匹配电路内的一上拉驱动器的强度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据该输出电压电位检测电路的判断结果，执行该相对应的动作包含：
当该记忆体电路的输出电压电位高于一高参考电压时，调整该阻抗匹配电路内的一下拉驱动器的强度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据该输出电压电位检测电路的判断结果，执行该相对应的动作包含：
当该记忆体电路的输出电压电位介于该高参考电压与该低参考电压之间时，该记忆体电路回到该驱动模式。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该驱动模式为该记忆体电路接收一激活指令、一读取指令、一写入指令及/或一闲置指令。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该初始校正为一延伸暂存器设定模式。
7.一种记忆体电路，其特征在于，包含：
一输出电压电位检测电路，用以判断该记忆体电路的一输出电压电位；以及
一阻抗匹配电路，包含：
一上拉驱动器，用以在该记忆体电路的初始校正及全时更新模式校正下，当该输出电压电位低于一低参考电压时，调高该输出电压电位；及
一下拉驱动器，用以在该记忆体电路的初始校正及全时更新模式校正下，当该输出电压电位高于一高参考电压时，调低该输出电压电位。
8.根据权利要求7所述的记忆体电路，其特征在于，该输出电压电位检测电路在该记忆体电路的全时更新模式校正下判断该记忆体电路的该输出电压电位。
9.根据权利要求7所述的记忆体电路，其特征在于，该初始校正为一延伸暂存器设定模式。
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