[发明专利]一种节省布线的SRAM单元的设计方法

说明书

技术领域

本发明用于SRAM类电路的设计和制造，提出了一种节省布线的SRAM单元的设计方法，即：通过N井为单元提供供电，能减少一根金属线，有助于减少芯片面积和降低成本。

背景技术

通常的SRAM单元，其存储核心由2个反接的反相器，由电源和地两根总线供电。对应的，需要提供两根总线的接触点。这占用了宝贵的面积。

发明内容

本发明的用意在于，在每个SRAM单元内减少一个接触点和电源总线相连。达到这个目的的方法是把反相器的供电转移到硅表面以上。其基本原理是：将DMOS管的源极(P+)通过矽化物与N井通过N+连接起来，而N井在整个内核阵列都是连续的。

附图说明

图1是传统的SRAM单元电路。

图2是本发明的SRAM单元的等效电路。

具体实施方式

本发明在具体实现上，要充分考虑到N井电阻值对单元工作的影响，这需要在设计工作中建立等效电路，把N井带来的电阻网络充分考虑进去。

当单元阵列达到一定大小后，应当放tapping cell（加强单元），用金属导线练到电源总线，将N井电阻的影响降低到可承受的地步。