[发明专利]一种节省布线的SRAM单元的设计方法无效

专利信息
申请号: 201210210013.2 申请日: 2012-06-25
公开(公告)号: CN103515389A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 李煜文 申请(专利权)人: 上海摩晶电子科技有限公司
主分类号: H01L27/11 分类号: H01L27/11;H01L21/8244
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200235 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 节省 布线 sram 单元 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种节省布线的SRAM单元的设计方法。

2.一种符合权利要求1的设计,其特征在于,通过N井为每个单元供电,有利于减少电路的面积和降低成本。

3.一种符合权利要求1的设计,其特征在于,在每个SRAM单元内减少一个接触点和电源总线相连。

4.一种符合权利要求1及权利要求3的设计,其特征在于,把反相器的供电转移到硅表面以上。

5.一种符合权利要求4的设计,其特征在于,其基本原理是:将DMOS管的源极(P+)通过矽化物与N井通过N+连接起来,而N井在整个内核阵列都是连续的。

6.一种符合权利要求2的设计,其特征在于,具体实现上需充分考虑到N井电阻值对单元工作的影响,这需要在设计工作中建立等效电路,把N井带来的电阻网络充分考虑进去。

7.一种符合权利要求2的设计及权利要求6的设计,其特征在于,当单元阵列达到一定大小后,应当放tapping cell(加强连接的单元),用金属导线连到电源总线,将N井电阻的影响降低到可承受的地步。

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