[发明专利]一种节省布线的SRAM单元的设计方法无效
| 申请号: | 201210210013.2 | 申请日: | 2012-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN103515389A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
| 发明(设计)人: | 李煜文 | 申请(专利权)人: | 上海摩晶电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L21/8244 |
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| 地址: | 200235 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 节省 布线 sram 单元 设计 方法 | ||
1.一种节省布线的SRAM单元的设计方法。
2.一种符合权利要求1的设计,其特征在于,通过N井为每个单元供电,有利于减少电路的面积和降低成本。
3.一种符合权利要求1的设计,其特征在于,在每个SRAM单元内减少一个接触点和电源总线相连。
4.一种符合权利要求1及权利要求3的设计,其特征在于,把反相器的供电转移到硅表面以上。
5.一种符合权利要求4的设计,其特征在于,其基本原理是:将DMOS管的源极(P+)通过矽化物与N井通过N+连接起来,而N井在整个内核阵列都是连续的。
6.一种符合权利要求2的设计,其特征在于,具体实现上需充分考虑到N井电阻值对单元工作的影响,这需要在设计工作中建立等效电路,把N井带来的电阻网络充分考虑进去。
7.一种符合权利要求2的设计及权利要求6的设计,其特征在于,当单元阵列达到一定大小后,应当放tapping cell(加强连接的单元),用金属导线连到电源总线,将N井电阻的影响降低到可承受的地步。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





