[发明专利]一种封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种电性连结堆迭架的制造方法，其特征在于，包含了下列步骤：

a.提供一金属基板;

b.藉由移除该金属基板的至少一部份，以令该金属基板形成一具有多个引脚的金属架(metallic frame);以及

c.在该金属架上形成一传导图案，该传导图案包含多个第一电性连结用以连接该多个引脚。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述传导图案是由薄膜制程、印刷制程或雷射钻孔其中至少一种方式形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属架具有至少一空隙，且该方法进一步包含了下列步骤：

形成一填充层用以填入该至少一空隙。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包含了下列步骤：

在该金属架的下方形成一支撑层用以支持该填充层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述填充层包含了高分子材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含了下列步骤：

在该金属架形成一凹洞;以及

在该凹洞放置具有至少一第一输入端或输出端的第一传导元件，且该传导图案进一步包含多个第二电性连结用以连接该第一传导元件的该至少一第一输入或输出端。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包含了下列步骤：

在该金属架上放置具有至少一第二输入或输出端的第二传导元件，且该传导图案进一步包含多个第三电性连结用以连接该第二传导元件的该至少一第二输入或输出端。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含了下列步骤：

在该金属架上放置具有至少一第一输入或输出端的第一传导元件，且该传导图案进一步包含多个第二电性连结用以连接该第一传导元件。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述填充层由高分子材料制成，且该方法进一步包含了下列步骤：

在该金属架上图形化该填充层。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述高分子材料为光阻。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属基板由铜、银或锡其中至少任一种制成。

12.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一传导元件包含积体电路晶片、金属氧化层场效电晶体、绝缘阐双极电晶体、二极体、扼流线圈、电容或电阻其中至少任一种。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述传导图案进一步包含打线或金球结合其中至少任一种。

14.一种电性连结堆迭架的制造方法，其特征在于，包含了下列步骤：

a.提供一金属基板;

b.藉由移除该金属基板的至少一部份，以令该金属基板形成具有多个引脚的金属架(metallic frame)，且该金属架具有第一表面和第二表面;

c.在该金属架的第一表面形成第一传导图案，且该第一传导图案包含多个第一电性连结用以连接该多个引脚;以及

d.在该金属架的第二表面形成第二传导图案，其中该第二传导图案包含多个第二电性连结用以连接该多个引脚。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一传导图案和第二传导图案由薄膜制程、印刷制程或雷射钻孔其中至少任一种方式形成。

16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述金属架包含至少一空隙，且该方法进一步包含了下列步骤：

形成一填充层用以填入该至少一空隙。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述填充层包含了高分子材料。

18.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包含了下列步骤：

在该金属架形成一凹洞;以及

在该凹洞放置具有至少一第一输入或输出端的第一传导元件，且该第一传导图案进一步包含多个第三电性连结用以连接该第一传导元件的该至少一第一输入或输出端。