[发明专利]LED芯片的制作工艺及其LED芯片有效
| 申请号： | 201210208831.9 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103515488A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 吕华丽 | 申请（专利权）人： | 杭州华普永明光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 311305 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 制作 工艺 及其 | ||
1.一种LED芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：
在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；
在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层；
在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层；
在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层；
在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层；
剥离或者移除蓝宝石衬底；
在n型Ⅲ族氮化物半导体层刻蚀出n型电极；
将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片；
将上述多个单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板上，其中，金属基板的面积大于外延片的面积，以便于封装焊接。
2.如权利要求1所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，金属基板的面积大于外延片的面积小于外延片面积的4-8倍。
3.如权利要求1所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，所述电极偏向一边，以便于封装焊线。
4.如权利要求1所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，所述金属基底的厚度为0.3到1mm。
5.如权利要求1所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，所述金属基底，材质包括铜、镍、金、铝、铬、铂、锌或者其他合金。
6.如权利要求1所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，还包括：所述n型Ⅲ族氮化物半导体层与蓝宝石沉底接触的表面进行粗糙化，以便于增加出光率。
7.一种LED芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：
在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；
在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层；
在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层；
在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层；
在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层；
剥离或者移除蓝宝石衬底；
将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片，将上述LED芯片喷溅n型电极，并延伸到反射金属层；
将上述单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板上，金属基板的面积大于外延片的面积。
8.如权利要求7所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，所述金属基板包含两片，一片与正极连接，一片与负级连接。
9.如权利要求7或8所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，金属基板的面积大于外延片的面积小于外延片面积的4-8倍。
10.一种LED芯片，其特征在于，包括：
一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；
一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层，设置在所述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；
一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层，设置在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层的上表面；
反向穿隧层，设置在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；
一层或者多层反射金属层，设置在上述反向穿隧层的上表面；
n型电极，设置在n型Ⅲ族氮化物半导体层的下表面；
所述反射金属层键合在金属基板上，其中，金属基板大于外延片，以便于封装焊接，并且键合之前还包括将上述晶元划裂成的多个单颗LED芯片。
11.如权利要求10所述的一种LED芯片，其特征在于，金属基板的面积大于外延片的面积小于外延片面积的4-8倍。
12.如权利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述电极偏向一边，以便于封装焊线。
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