[发明专利]LED芯片的制作工艺及其LED芯片

说明书

技术领域

   本发明涉及一种LED芯片的制作工艺，尤其涉及一种LED芯片的制作工艺及其LED芯片。

背景技术

随着LED芯片技术与封装技术的发展，越来越多的LED产品应用于照明领域，尤其是大功率白光LED。由于LED具有高光效、长寿命、节能环保、合适调光控制、不含汞等污染物质的特点，成为继白炽灯、荧光灯等传统光源之后的新一代照明光源。

目前，大部分LED芯片是采用正装结构，即LED的半导体层以外延的方式沉积在非导电的蓝宝石基底上，因此具有导热不良等缺点。为此，申请号为200910132057.6的专利，公布了一种LED芯片结构的制作工艺，所述方法包括:

在一衬底上沉积一或多层n型III族氮化物半导体层,其中所述一或多层n型III族氮化物半导体层具有一第一表面以及一第二表面;

在所述一或多层n型III族氮化物半导体层的第一表面上沉积一或多层III族氮化物活化层;

在所述一或多层III族氮化物活化层上沉积一或多层p型III族氮化物半导体层;

在所述一或多层p型III族氮化物半导体层上沉积一原位(in-situ)形成层;在所述原位形成层上沉积一或多层反射金属层。

上述专利是将p型半导体表面沉积金属层，并移除n性半导体表面的蓝宝石沉底，形成垂直结构的LED芯片，来解决了LED芯片的散热问题。

然而，此类垂直结构的LED芯片，在封装时，需要通过共晶工艺焊接到封装支架之上，该工艺复杂、难以控制，存在焊接空洞等问题，从而导致散热不佳，加工困难等问题。

发明内容

    本发明的目的在于提供一种LED芯片的制作工艺，以解决现有技术中散热性不佳，加工困难的技术问题。

    本发明的另一目的在于提供一种LED芯片，以解决现有技术中散热性不佳，加工困难的技术问题。

一种LED芯片的制作工艺，包括以下步骤：

在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；

在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层；

在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层；

在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层；

在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层；

剥离或者移除蓝宝石衬底；

在n型Ⅲ族氮化物半导体层刻蚀出n型电极；

将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片；

将上述多个单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板上，其中，金属基板的面积大于外延片的面积，以便于封装焊接。

较佳地，所述电极偏向一边，以便于封装焊线。

较佳地，所述金属基底的厚度为0.3到1mm。

较佳地，所述金属基底，材质包括铜、镍、金、铝、铬、铂、锌或者其他合金。

较佳地，还包括：所述n型Ⅲ族氮化物半导体层与蓝宝石沉底接触的表面进行粗糙化，以便于增加出光率。

本发明公开的第二种LED芯片的制作工艺，包括以下步骤：

在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；

在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层；

在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层；

在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层；

在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层；

剥离或者移除蓝宝石衬底；

将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片，将上述LED芯片喷溅n型电极，并延伸到反射金属层；

将上述单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板上，其中，金属基板的面积大于外延片的面积。

较佳地，所述金属基板包含两片，一片与正极连接，一片与负级连接。

较佳地，金属基板大于外延片，以便于封装焊接。

一种LED芯片，包括：

一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；

一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层，设置在所述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；

一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层，设置在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层的上表面；

反向穿隧层，设置在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；