[发明专利]硅锭切片质量监控系统及监测方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其是一种硅锭切片质量监控系统以及使用该系统对硅锭切片质量进行监测的方法。

背景技术

目前对单多晶晶块切片的主要方法有两种:一是结构利用结构钢线高速运行带动悬浮在PEG中的金刚砂磨削单多晶晶块实现切片;二是直接利用表面镶嵌或涂覆有类金刚砂的高硬度物质的金刚线高速运动磨削单多晶晶块实现切片。目前第一种方法由于其工艺相对稳定，综合成本具有较明显优势，国内批量生产均采用该切片方法。

第一种切片工艺通常所需要用到的最重要辅材为金刚砂和悬浮液（聚己二醇-PEG200）以及钢线。辅材质量的好坏直接决定切片质量，通常我们对辅材均有监控，金刚砂的监控指标主要有：颗粒尺寸分布，颗粒表面干净度以及颗粒形状及硬度等；悬浮液的监控指标主要有：PH值、平均分子量、黏度、金属离子含量、电导率等；钢线的监控指标主要有：直径、椭圆度和抗拉强度等。在对切片的主要辅材质量进行监控和控制的基础上，切片设备的稳定性和精密度也将直接决定切片的质量，但随着对单多晶晶棒切片的进一步研究归纳及总结发现，目前所监控的辅材及设备运行各参数的正常及稳定仅为切片质量有保证的必要条件，并非充要条件，在以上监控的所有辅材参数均稳定并在控制范围内，且切片设备本身所监控的各运行参数均在目标范围内时，即使在相对稳定工艺窗口较大的工艺条件下除去人为因素及其它外在因素后切片质量仍然有很大的波动性。比如说切片过程中随机产生的裂纹半截片及胶面崩边缺角片通常很难明确解释起因，更加无法进行有效的控制，这就说明还有些影响切片质量的重要参数在目前的切片系统内还未能被有效的监控控制。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术中之不足，提供一种硅锭切片质量监控系统及监测方法，有效控制切片工艺过程，减少切片过程中随机产生的裂纹片、半截片、胶面崩边缺角片等缺陷，实现更加稳定的切片质量和更高的切片效益。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种硅锭切片质量监控系统，包括切片装置、用于检测晶棒切割处温度的检测装置以及带有中央处理器的控制装置，切片装置包括切片机的内壁板，内壁板一侧具有待切割的晶棒、粘结晶棒的晶托、位于晶棒下方的一对导轮以及绕在导轮之间的用于磨削晶棒的钢线线网，所述的检测装置包括设在内壁板上的红外线传感器，红外线传感器通过传输线连接有温度感应电路，红外线传感器探头中心线的延伸方向对准钢线线网磨削晶棒端面时的中间位置处，温度感应电路将收集的数据处理后传送至中央处理器。

进一步地，为将红外线传感器接受到的晶棒反射信号加以处理，所述的温度感应电路包括信号放大器和功率放大器。

所述的红外线传感器外套装有保护外壳，以防止线锯磨削时砂浆飞溅而对红外线传感器产生的污染。

一种使用上述监控系统对硅锭切片质量进行监测控制的方法：红外线传感器接受切割晶棒端面最高温度处反射的红外线,利用红外线对不同温度的物体其反射率不一样的特征,将红外线传感器接受到的晶棒反射信号，通过传输线传输到温度感应电路，经温度感应电路内的信号放大器和功率放大器处理后，传送到中央处理器进行数据处理,最后由PID中央控制程序发出指令对晶棒的切割进给速度进行调整，以保证切片质量。

本发明的有益效果是：本发明通过在单多晶晶块的切片装置中增加一套红外线温度检测装置，将所测晶块切割处的温度信号传输到中央控制系统，实现即时测量和控制切片工艺，从而实现控制切割过程中的晶棒温度，最终达到较高的切片质量,减少切片过程中随机产生的裂纹片、半截片、胶面崩边缺角片比例，同时所切硅片的TTV、线痕也有明显降低，硅片质量和效益得到明显的改善。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明的结构示意图。

图2是图1的左视图。

图3为监控的晶棒最高温度的变化曲线图。

图中1.内壁板2.晶棒3.晶托4.导轮5.钢线线网6.红外线传感器7.传输线8.温度感应电路9.保护外壳

具体实施方式

现在结合附图和优选实施例对本发明作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。

如图1、图2所示的一种硅锭切片质量监控系统，包括切片装置、用于检测晶棒切割处温度的检测装置以及带有中央处理器的控制装置。