[发明专利]修补装置以及修补方法、器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及例如对LSI元件、LED元件以及激光元件等发光元件等的检查以及处理对象的器件进行检查的ESD耐受性试验的结果或者通常动作试验的结果，使不合格器件恢复至正常的绝缘状态的修补装置以及修补方法、利用了该修补装置的器件的制造方法。

背景技术

以往，在LSI元件的输入电路侧连接有保护二极管，并检查保护二极管的ESD耐受性。在LED元件以及激光元件等的发光元件中，发光元件本身具有二极管结构。该二极管结构由p型扩散层以及n型扩散层的pn结构成，因此根据p型扩散层以及n型扩散层的结果而ESD耐受性不同，因此需要检查全部的ESD耐受性。

以往的ESD施加所需的基本的ESD电路由利用了高压电源与遵循ESD标准（HBM（人体放电模型：human body model）/MM（机器放电模型：Machine Model）等）的高压电容器、施加电阻以及水银的高耐压继电器构成。

ESD电路的施加输出部分利用将用于连接到器件的端子的接触探测器固定安装在衬底上的探测器卡、将该接触探测器固定于支架上的操纵器等对检查对象的器件通电。

对检查对象的器件提供的电压的大小在通常动作试验中是动作电压的例如3V或5V左右，但在作为可靠性检查的代表性的ESD试验（静电放电可靠性试验）中，以大致1~10KV电平的高电压作为对象。ESD试验是对来自人体或者机器的静电流过LSI芯片等的检查对象的器件时的耐久性进行的试验。

另一方面，在使不合格器件恢复至正常的绝缘状态的修补技术中，作为对象器件，例如有TFT、有机EL、LSI、LED元件以及激光元件等，作为大型器件，太阳能电池等符合。作为修补技术，例如有利用冗余元件/电路的方法（多用于复杂的器件）、偏压施加方法、需要确定缺陷部位的激光修补方法以及过程步骤方法等。

说明使不合格器件恢复至正常的绝缘状态的修补技术例如偏压施加方法。如果说明栅氧化膜的绝缘状态，则栅氧化膜有氧化膜针孔（pinhole），在栅氧化膜的上部电极与下部硅衬底通过氧化膜针孔短路的状态下，故意流过电流，从而烧断短路部分的细的上部电极材料（多晶硅或者金属等），从而使该短路部分成为开路状态（正常的绝缘状态），从而使该栅氧化膜恢复至正常的绝缘状态。

这样，烧断栅氧化膜的针孔的短路部分从而使其恢复至正常的绝缘状态的偏压施加方法的一例公开于专利文献1中。

图22是在专利文献1公开的以往的光电转换元件的反向偏置处理装置的概略图。图23是图22的串联连接的光电转换元件的等价电路。

在图22以及图23中，以往的光电转换元件的反向偏置处理装置100将从电位赋予部件101输出的三个不同电位同时赋予光电转换元件102的背面的电极103，从而故意流过电流。电位赋予部件101具有电源105以及导电性构件106，所述电源105具有同时输出三个不同电位的输出端子104，所述导电性构件106将各个输出端子104连接到串联连接的光电转换元件102的背面电极103。该导电性构件106由电极连接部106a以及布线部106b构成。

只要从各输出端子104输出不同的电位即可，例如，输出端子104a输出+3V，输出端子104b输出0V，输出端子104c输出-3V的电位。

通过该装置，能够对两个光电转换元件102同时施加反向偏压3V，对两个光电转换元件102同时进行反向偏置处理，从而能够对不合格器件的缺陷部分故意流过电流。

例如将反向偏置电压设为3V，但并不限定于此，为了防止光电转换元件102的PN结被破坏且成为短路状态的情况，只要是光电转换元件102的耐电压以下的电压即可。光电转换元件102的耐电压根据半导体层的膜厚度或者层数等的结构而不同，但一般为几伏至20V左右。

通过上述结构，在利用了反向偏置处理装置100的反向偏置处理方法中，如果对各背面电极103a、103b、103c接触电极连接部106a1、106a2、106a3，且输出端子104a输出+3V的电位，输出端子104b输出0V的电位，输出端子104c输出-3V的电位，则背面电极103a被赋予+3V的电位，背面电极103b被赋予0V的电位，背面电极103c被赋予-3V的电位。

对光电转换元件103a以及光电转换元件103b同时施加3V的反向偏置电压，并对这些光电转换元件同时进行反向偏置处理，通过使不合格器件的缺陷部分故意流过电流，能够使其恢复至正常的绝缘状态。

专利文献1：特开2008-91674号公报