[发明专利]修补装置以及修补方法、器件的制造方法无效
| 申请号: | 201210205946.2 | 申请日: | 2012-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN102832155A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
| 发明(设计)人: | 内田练;石川真治 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00;H01L31/18;H01L51/56;G01R31/00;G01R31/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 吕晓章 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 修补 装置 以及 方法 器件 制造 | ||
1.一种修补装置,对器件的漏电缺陷部分提供电应力,从而使该漏电缺陷部分的绝缘状态正常化,具有:
作为电应力源的电压源;以及电压施加部件,将来自被该电压源充电的一个或者多个电压电容部件的一个或者多个电荷应力施加到一个或者多个器件。
2.一种修补装置,用于恢复一个或者多个器件的漏电缺陷,包括:
电压施加部件,将来自被电压源充电的一个或者多个电压电容部件的各电荷应力施加到一个或者多个器件;以及
判定部件,在从该电压源通过电流供给部件将电流提供给施加了该电荷应力之后的一个或者多个器件的状态下,自动判定该一个或者多个器件是否为漏电缺陷器件。
3.如权利要求1所述的修补装置,其中,
所述电压施加部件将来自被所述电压源充电的多个电压电容部件的各电荷应力分别一并同时施加给多个器件。
4.如权利要求2所述的修补装置,其中,
在所述电流供给部件将来自所述电压源的电流应力提供给所述一个或者多个器件的修补处理之后,在从该电压源通过电流供给部件将电流提供给该电流应力供给后的一个或者多个器件的状态下,所述判定部件自动地判定该一个或者多个器件中的器件是否为漏电缺陷器件。
5.如权利要求2所述的修补装置,其中,
所述电压施加部件具有与应将规定电压一并施加处理的器件的数目对应数目的相同电路结构。
6.如权利要求3所述的修补装置,其中,
所述电压施加部件具有与应将规定电压一并施加处理的器件的数目对应数目的相同电路结构。
7.如权利要求1所述的修补装置,其中,
所述电压施加部件具有:一个电压电容部件,用于积累来自所述电压源的规定的电压;一个电压输出部,用于通过电阻输出来自该一个电压电容部件的规定的电压;以及切换部件,进行切换,以便将该一个电压电容部件连接到该电压源侧或者连接到该电压输出侧。
8.如权利要求3所述的修补装置,其中,
所述电压施加部件具有:多个电压电容部件,用于积累来自所述电压源的规定的电压;多个电压输出部,将来自该多个电压电容部件的各规定的电压分别通过各电阻而输出;以及多个切换部件,进行切换,以便将该多个电压电容部件各自分别连接到该电压源侧或者分别连接到该电压输出部侧。
9.如权利要求5所述的修补装置,其中,
所述电压施加部件具有:一个或者多个电压电容部件,用于积累来自所述电压源的规定的电压;多个电压输出部,将来自该一个或者多个电压电容部件的规定的电压分别通过各电阻而输出;以及多个切换部件,进行切换,以便将该一个或者多个电压电容部件各自分别连接到该电压源侧或者分别连接到该电压输出部侧。
10.如权利要求8所述的修补装置,其中,
所述相同电路结构独立地持有与所述应一并施加处理的器件的数目对应数目的、从所述电压电容部件通过所述切换部件并进一步通过所述电阻到达所述电压输出部的电路。
11.如权利要求9所述的修补装置,其中,
所述相同电路结构独立地持有与所述应一并施加处理的器件的数目对应数目的、从所述电压电容部件通过所述切换部件并进一步通过所述电阻到达所述电压输出部的电路。
12.如权利要求10或者11所述的修补装置,其中,
具有多个衬底,所述衬底安装一个或者多个所述相同电路结构。
13.如权利要求3所述的修补装置,其中,
所述电压源设为具有对应于所述多个电压电容部件的电容的充电处理能力的一个电压源,所述多个电压电容部件的数目与应一并施加处理的器件的数目对应。
14.如权利要求2所述的修补装置,其中,
所述电压源设为具有对应于所述一个或者多个电压电容部件的电容的充电处理能力的一个电压源,所述一个或者多个电压电容部件的数目与应一并施加处理的器件的数目对应。
15.如权利要求1或14所述的修补装置,其中,
所述电荷应力的电压值在所述器件的电压/电流特性是非线性特性时,作为绝对值而设定不超过击穿电压而且是该击穿电压的9成以上的电压值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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