[发明专利]双扩散漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种双扩散漏极金属氧化物半导体元件，形成于一第一导电型基板中，且另有一低压元件形成于该基板中，其特征在于，该双扩散漏极金属氧化物半导体元件包含：

一第一井区，具有第二导电型，与该低压元件中的一第二井区，利用相同制程步骤，形成于该基板中；

一第一栅极，形成于该基板上，该第一栅极具有在通道方向上相对的一第一侧与一第二侧，其中，部分该第一井区位于相对较靠近该第一侧的该第一栅极下方；

一扩散区，具有第一导电型，与该低压元件中的一轻掺杂漏极区，利用相同制程步骤，形成于该基板中，其中，至少部分该扩散区位于该第二侧外的该基板中；以及

一第一源极与一第一漏极，皆具有第一导电型，分别形成于该第一侧与该第二侧外的该基板中，由俯视图视之，该第一漏极与该第一栅极间，由部分该扩散区隔开，且该第一源极位于该第一井区中。

2.如权利要求1所述的双扩散漏极金属氧化物半导体元件，其中，该基板包括一非外延基板，且该双扩散漏极金属氧化物半导体元件还包含一第二导电型第一深井区，与该低压元件中的一第二深井区，利用相同制程步骤，形成于该基板中，且该第一井区、该扩散区、该第一源极与该第一漏极位于该第一深井区中。

3.如权利要求1所述的双扩散漏极金属氧化物半导体元件，其中，还包含一外延层，形成于该基板上，且该第一井区、该扩散区、该第一源极与该第一漏极位于该外延层中，且该第一栅极位于该外延层上。

4.如权利要求3所述的双扩散漏极金属氧化物半导体元件，其中，还包含一第二导电型埋层，形成于该外延层下该基板中。

5.如权利要求1所述的双扩散漏极金属氧化物半导体元件，其中，该低压元件还包括一第二栅极、一第二源极、以及一第二漏极，且该第一栅极、该第一源极、以及该第一漏极分别利用与该第二栅极、该第二源极、以及该第二漏极相同制程步骤形成。

6.如权利要求1所述的双扩散漏极金属氧化物半导体元件，其中，还包含至少一场氧化区形成于该基板上，以定义一元件区，且利用形成该第一井区的相同制程步骤，形成一隔绝区于相对较靠近该第一漏极侧的该场氧化区下方。

7.一种双扩散漏极金属氧化物半导体元件制造方法，其特征在于，包含：

提供一第一导电型基板，此基板供形成该双扩散漏极金属氧化物半导体元件与另一低压元件；

形成一第二导电型第一井区于该基板中，且该第一井区与该低压元件中的一第二井区，利用相同制程步骤形成；

形成一第一栅极于该基板上，该第一栅极具有在通道方向上相对的一第一侧与一第二侧，其中，部分该第一井区位于相对较靠近该第一侧的该第一栅极下方；

形成一第一导电型扩散区于相对较靠近该第二侧的该基板中，其中，至少部分该扩散区位于该第二侧外的该基板中，且该扩散区与该低压元件中的一轻掺杂漏极区，利用相同制程步骤形成；以及

分别形成一第一导电型第一源极与一第一导电型第一漏极于该第一栅极第一侧与该第二侧外的该基板中，由俯视图视之，该第一漏极与该第一栅极间，由部分该扩散区隔开，且该第一源极位于该第一井区中。

8.如权利要求7所述的双扩散漏极金属氧化物半导体元件制造方法，其中，该基板包括一非外延基板，且该双扩散漏极金属氧化物半导体元件制造方法还包含形成一第二导电型第一深井区于该基板中，该第二导电型第一深井区采用与形成该低压元件中的一第二深井区相同的制程步骤，且该第一井区、该扩散区、该第一源极与该第一漏极位于该第一深井区中。

9.如权利要求7所述的双扩散漏极金属氧化物半导体元件制造方法，其中，还包含形成一外延层于该基板上，且该第一井区、该扩散区、该第一源极与该第一漏极位于该外延层中，且该第一栅极位于该外延层上。

10.如权利要求9所述的双扩散漏极金属氧化物半导体元件制造方法，其中，还包含形成一第二导电型埋层于该外延层下该基板中。

11.如权利要求7所述的双扩散漏极金属氧化物半导体元件制造方法，其中，还包含形成至少一场氧化区于该基板上，以定义一元件区，且利用形成该第一井区的相同制程步骤，形成一隔绝区于相对较靠近该第一漏极侧的该场氧化区下方。

12.如权利要求7所述的双扩散漏极金属氧化物半导体元件制造方法，其中，该低压元件还包括一第二栅极、一第二源极、以及一第二漏极，且该第一栅极、该第一源极、以及该第一漏极分别利用与该第二栅极、该第二源极、以及该第二漏极相同制程步骤形成。