[发明专利]跟踪旋转晶圆吸盘

说明书

技术领域

本发明总体涉及半导体领域，更具体地，涉及跟踪旋转晶圆吸盘。

背景技术

光刻胶为广泛用于半导体工艺中的感光材料。通常，使用旋涂方法将光刻胶沉积在半导体晶圆上方。通过将晶圆置于具有单个真空孔的晶圆吸盘(wafer chuck)上方来实施旋涂方法。单个真空孔在晶圆下方生成低压区域，从而导致大气压力下推晶圆的顶面，将晶圆固定在晶圆吸盘上。然后，晶圆以较高的转速旋转，从而形成覆盖晶圆的表面的光刻胶层。在形成光刻胶层以后，从晶圆吸盘去除晶圆并且将该晶圆置于曝光工具中，将该曝光工具配置成根据光掩模选择性地将光刻胶暴露在光源下(例如，UV光)。暴露在光源下导致光刻胶发生化学变化。然后，对光刻胶进行显影，从而去除选择的光刻胶的部分(例如，在去除光刻胶的曝光部分的正性光刻胶中)。

发明内容

下文为简单概要，以提供对本公开内容的一个或多个方面的基本理解。该概要不是本公开内容的大量概述，并且既不是为了确定本公开内容的主要或关键元件，也不是为了界定本公开内容的范围。相反，概要的主要目的是为了以简单形式提供本公开内容的一些概念作为稍后提供的更具体的描述的序言。

在一些实施例中，本公开内容涉及晶圆吸盘。晶圆吸盘包括与腔体流体连通的多个真空孔，其中，腔体沿着晶圆吸盘的顶面在真空孔之间连续延伸，将该晶圆吸盘配置成接纳工件。将真空源连接至多个真空孔并且将该真空源配置成在腔体内形成低压真空，其中，将相应的真空孔配置成有利于在腔体内形成低压真空。

该晶圆吸盘进一步包括：旋转机构，被配置成使晶圆吸盘绕旋转轴旋转，旋转轴与晶圆吸盘的中心垂直地进行延伸。

其中，腔体包括位于顶面内的一个或多个共心沟槽。

其中，真空源包括单个真空泵，真空源通过真空线路连接至多个真空孔。

其中，晶圆吸盘被配置成接纳直径大于或等于300mm的工件。

其中，多个真空孔以大于或等于晶圆吸盘的直径的1/3的距离彼此分离。

其中，多个真空孔包括放置成三角形图案的至少三个真空孔。

其中，多个真空孔包括放置成直线图案的至少两个真空孔。

其中，真空孔包括三角形、正方形、或者多边形。

在另一实施例中，本公开内容涉及可旋转晶圆吸盘系统。可旋转晶圆吸盘系统包括可旋转晶圆吸盘，该可旋转晶圆吸盘具有与沿着可旋转晶圆吸盘的顶面定位的腔体直接连通的第一真空孔和第二真空孔。将第一真空孔和第二真空孔分别配置成在腔体内生成第一压力区域和第二压力区域以及生成位于第一压力区域和第二压力区域之间的中间压力区域。第二低压力区域降低了第一压力区域和第二压力区域之间的压力梯度。

其中，第一真空孔和第二真空孔放置成直线图案。

其中，多个真空孔包括放置成三角形图案的至少三个真空孔。

其中，可旋转晶圆吸盘被配置成接纳直径大于或等于300mm的工件。

其中，真空孔以大于或等于可旋转晶圆吸盘的直径的1/3的距离彼此分离。

其中，腔体包括顶面内的一个或多个共心沟槽。

在另一实施例中，本公开内容涉及在工件上方形成光刻胶层的方法。该方法包括：将工件置于晶圆吸盘的顶面上方，该晶圆吸盘包括直接与位于晶圆吸盘和工件之间的腔体连通的多个真空孔。真空源以多个真空孔分别有利于在腔体内形成低压真空的方式进行工作，导致将工件保持到晶圆吸盘的位于腔体上方的均匀分布的真空。光刻胶沉积在工件上方。然后，晶圆吸盘以较高的转速旋转，从而将光刻胶均匀地分布在工件上方。

其中，晶圆吸盘的顶面被配置成接纳直径大于或等于300mm的工件。

其中，多个真空孔包括：第一真空孔和第二真空孔，第一真空孔和第二真空孔被配置成用于通过分别在腔体内生成第一压力区域和第二压力区域以及在第一压力区域和第二压力区域之间形成中间压力区域而在腔体内形成低压真空；以及其中，第二压力区域降低了第一压力区域和中间压力区域之间的压力梯度。

其中，多个真空孔包括放置成直线图案的第一真空孔和第二真空孔。

其中，多个真空孔包括放置成三角形图案的至少三个真空孔。

以下描述和附图具体阐述了本公开内容的某些示例性方面和实施方式。这些示例性方面和实施方式表示但仅是多种可应用于本公开内容原理的方式中的一些。

附图说明

图1a示出了典型晶圆吸盘的俯视图；

图1b示出了具有工件的晶圆吸盘的横截面图；