[发明专利]跟踪旋转晶圆吸盘有效
申请号: | 201210204062.5 | 申请日: | 2012-06-15 |
公开(公告)号: | CN103165504B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 曾威翔;彭瑞君;何开发;陈和平;李家筠 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/312 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 跟踪 旋转 吸盘 | ||
1.一种晶圆吸盘,包括:
多个真空孔,与腔体流体连通,其中,所述腔体沿着所述晶圆吸盘的顶面在所述真空孔之间连续延伸,所述晶圆吸盘被配置以接纳工件,所述晶圆吸盘与所述工件物理接触的表面仅位于所述晶圆吸盘的周边;以及
真空源,连接至所述多个真空孔并且被配置以在所述腔体内形成低压真空,其中,相应的真空孔被配置成用于在所述腔体内形成所述低压真空以减少所述工件弯曲。
2.根据权利要求1所述的晶圆吸盘,进一步包括:
旋转机构,被配置成使所述晶圆吸盘绕旋转轴旋转,所述旋转轴与所述晶圆吸盘的中心垂直地进行延伸。
3.根据权利要求1所述的晶圆吸盘,其中,所述腔体包括位于所述顶面内的一个或多个共心沟槽。
4.根据权利要求1所述的晶圆吸盘,其中,所述真空源包括单个真空泵,所述真空源通过真空线路连接至所述多个真空孔。
5.根据权利要求1所述的晶圆吸盘,其中,所述晶圆吸盘被配置成接纳直径大于或等于300mm的工件。
6.根据权利要求1所述的晶圆吸盘,其中,所述多个真空孔以大于或等于所述晶圆吸盘的直径的1/3的距离彼此分离。
7.根据权利要求1所述的晶圆吸盘,其中,所述多个真空孔包括放置成三角形图案的至少三个真空孔。
8.根据权利要求1所述的晶圆吸盘,其中,所述多个真空孔包括放置成直线图案的至少两个真空孔。
9.根据权利要求1所述的晶圆吸盘,其中,所述真空孔包括三角形、正方形、或者多边形。
10.一种可旋转晶圆吸盘系统,包括:
可旋转晶圆吸盘,具有第一真空孔和第二真空孔,所述第一真空孔和所述第二真空孔与沿着所述可旋转晶圆吸盘的顶面定位的腔体直接连通;所述可旋转晶圆吸盘与工件物理接触的表面仅位于所述可旋转晶圆吸盘的周边;
其中,所述第一真空孔和所述第二真空孔被配置成用于通过分别在所述腔体内形成第一压力区域和第二压力区域以及在所述第一压力区域和所述第二压力区域之间形成中间压力区域而在所述腔体内形成低压真空以减少工件弯曲;以及
其中,所述第二压力区域减小了所述第一压力区域和所述中间压力区域之间的压力梯度。
11.根据权利要求10所述的可旋转晶圆吸盘系统,其中,所述第一真空孔和所述第二真空孔放置成直线图案。
12.根据权利要求10所述的可旋转晶圆吸盘系统,其中,所述可旋转晶圆吸盘包括三角形图案的至少三个真空孔。
13.根据权利要求10所述的可旋转晶圆吸盘系统,其中,所述可旋转晶圆吸盘被配置成接纳直径大于或等于300mm的工件。
14.根据权利要求10所述的可旋转晶圆吸盘系统,其中,所述真空孔以大于或等于所述可旋转晶圆吸盘的直径的1/3的距离彼此分离。
15.根据权利要求10所述的可旋转晶圆吸盘系统,其中,所述腔体包括所述顶面内的一个或多个共心沟槽。
16.一种用于在工件上方形成光刻胶层的方法,包括:
将工件置于晶圆吸盘的顶面上方,所述晶圆吸盘包括多个真空孔,所述多个真空孔与位于所述晶圆吸盘和所述工件之间的腔体直接连通,所述晶圆吸盘与所述工件物理接触的表面仅位于所述晶圆吸盘的周边;
以使所述多个真空孔分别用于在所述腔体内形成低压真空的方式操作真空源,从而在所述腔体上方形成均匀分布的真空以减少所述工件弯曲,所述腔体将所述工件保持在所述晶圆吸盘;
将光刻胶沉积在所述工件上方;以及
使所述晶圆吸盘以100RPM至500RPM或者2000RPM至4000RPM的较高转速旋转,从而将所述光刻胶均匀分布在所述工件上方。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述晶圆吸盘的所述顶面被配置成接纳直径大于或等于300mm的工件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造