[发明专利]用以控制随机存取存储器元件中的漏电流的电路和方法

权利要求书

1.一种用以控制随机存取存储器元件中的漏电流的电路，其包含：

一预充电均衡电路，用以根据一预充电信号提供一预充电电压至一随机存取存储器元件中的一存储器单元的一位线对；

其中，当该存储器单元在一自我更新模式时，该预充电信号会通过一周期性触发的预充电请求而致能，且该预充电信号会在该存储器单元自我更新之前和之后致能。

2.如权利要求1所述的电路，其中该周期性的预充电请求的周期会小于该存储器单元的该自我更新运作的周期。

3.如权利要求1所述的电路，其中如果由于该周期性的预充电请求而产生的该预充电信号的一致能与由于该存储器单元的一更新运作而产生的该预充电信号的另一致能同时发生时，则由于该周期性的预充电请求而产生的该预充电信号的该致能会忽略不做。

4.如权利要求1所述的电路，其中当使该存储器单元进入该自我更新模式的一命令被触发时，在该存储器单元进入该自我更新模式之前执行一自动更新运作。

5.如权利要求1所述的电路，其中当该存储器单元在该自我更新模式时，该周期性的预充电请求通过一自我更新时钟信号的上升沿和下降沿的其中一个而触发，且该自我更新运作的该请求通过该自我更新时钟信号的上升沿和下降沿的另一个而触发。

6.如权利要求1所述的电路，其中准备被周期性地预充电的存储器单元和准备被更新的存储器单元会由不同的时钟电路所指示。

7.如权利要求1所述的电路，还包含：

一感测放大器，其建构以感测该存储器单元的该位线对之间的电压差；

其中该感测放大器的一第一输出端经由一第一位选择晶体管和一第一隔离晶体管连接至该数据线对的其中一数据线，而该感测放大器的一第二输出端经由一第二位选择晶体管和一第二隔离晶体管连接至该数据线对的另一数据线。

8.如权利要求7所述的电路，其中当该存储器单元在该自我更新模式时，该第一隔离晶体管和该第二隔离晶体管的控制电压为负值，藉以避免该第一隔离晶体管和该第二隔离晶体管被导通，当该存储器单元不在该自我更新模式时，该第一隔离晶体管和该第二隔离晶体管的控制电压为正值，藉以导通该第一隔离晶体管和该第二隔离晶体管。

9.如权利要求7所述的电路，其中该感测放大器的一第一节点经由一第一位线均衡晶体管和一第三隔离晶体管连接至一预充电电压，而该感测放大器的一第二节点经由一第二位线均衡晶体管和一第四隔离晶体管连接至该预充电电压，且当该存储器单元在该自我更新模式时，该第三隔离晶体管和该第四隔离晶体管不会被致能。

10.如权利要求9所述的电路，其中当该存储器单元在该自我更新模式时，该第三隔离晶体管和该第四隔离晶体管的控制电压为负值，藉以避免该第三隔离晶体管和该第四隔离晶体管被导通，当该存储器单元不在该自我更新模式时，该第三隔离晶体管和该第四隔离晶体管的控制电压为正值，藉以导通该第三隔离晶体管和该第四隔离晶体管。

11.一种用以控制随机存取存储器元件中的漏电流的方法，包含以下步骤：

当一随机存取存储器元件中的一存储器单元在一自我更新模式时，在该存储器单元被更新之前和之后暂时地致能一预充电均衡电路，该预充电均衡电路用以提供一预充电电压至该存储器单元的一位线对；以及

当该存储器单元在该自我更新模式时，周期性地致能该预充电均衡电路。

12.如权利要求11所述的方法，其中该周期性地致能的步骤的周期会小于该存储器单元的更新运作的周期。

13.如权利要求11所述的方法，其中如果该周期性地致能的步骤与该暂时地致能的步骤同时发生时，则该周期性地致能的步骤会忽略不做。

14.如权利要求11所述的方法，还包含：

当使该存储器单元进入该自我更新模式的一命令被触发后且在该存储器单元进入该自我更新模式之前执行一自动更新运作。

15.如权利要求11所述的方法，其中该周期性地致能的步骤通过一自我更新时钟信号的上升沿和下降沿的其中一个而触发，且该暂时地致能的步骤通过该自我更新时钟信号的上升沿和下降沿的另一个而触发。

16.如权利要求11所述的方法，其中该周期性地致能的步骤是以分段的方式运作。