[发明专利]形成用于半导体器件的图案的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上方形成第一层和第二层；

图案化所述第一层，其中，图案化提供第一元件、第二元件、以及介于所述第一元件和所述第二元件之间的空间；

在所述第一层的所述第一元件和所述第二元件的侧壁上形成隔离元件；以及

使用所述隔离元件以及所述第一元件和所述第二元件作为掩模元件蚀刻所述第二层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述隔离元件包括：

在所述图案化的第一层上方形成共形层；

蚀刻所述共形层，以形成所述隔离元件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层包括硬掩模材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层包括：选自由以下材料构成的组的成分：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、氮化钛、钛、及其组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二层是硬掩模层。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在随后的蚀刻工艺中，使用蚀刻的第二层作为掩模元件。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在蚀刻所述半导体衬底的过程中，使用所述蚀刻的第二层作为掩模元件。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在蚀刻在所述半导体衬底上方设置的目标层的过程中，使用所述蚀刻的第二层作为掩模元件。

9.一种方法，包括：

提供衬底，所述衬底具有第一层和形成在所述第一层上方的硬掩模层；

在所述硬掩模层中蚀刻第一图案，其中，所述第一图案包括：具有第一宽度的多个元件；

在蚀刻所述第一图案之后，对所述硬掩模层实施第二蚀刻工艺，其中，所述第二蚀刻工艺改进所述第一图案，从而提供具有第二宽度的多个元件的第二图案，所述第二宽度小于所述第一宽度；

在所述硬掩模层中形成的所述第二图案上方形成共形层；

蚀刻所述共形层，从而在具有所述第二宽度的多个元件中的每一个的侧壁上形成隔离元件；以及

在蚀刻所述硬掩模层的同时，使用所述隔离元件和具有所述第二宽度的所述多个元件作为掩模元件。

10.一种半导体制造方法，包括：

提供衬底；

实施第一光刻工艺、第一蚀刻工艺、第二光刻工艺、以及第二蚀刻工艺，以在所述衬底上方设置的第一层中形成多个部件；

在所述多个部件中的每一个上方形成侧壁隔离元件；以及

在下层的各向异性蚀刻工艺期间，使用所述多个部件和所述侧壁隔离元件作为掩模元件。