[发明专利]具有多位存储设备的数据存储系统及其片上缓冲编程方法有效
申请号: | 201210196929.7 | 申请日: | 2012-06-14 |
公开(公告)号: | CN102831076B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 尹翔镛;朴起台 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 存储 设备 数据 存储系统 及其 缓冲 编程 方法 | ||
1.一种用于包括多位存储设备和存储控制器的数据存储设备的片上缓冲编程方法,该片上缓冲编程方法包括:
测量数据存储设备随着时间而变化的性能;
判断所测量的性能是否变化以满足数据存储设备的目标性能;以及
根据判断结果选择静态调度方式和动态调度方式中的一个作为数据存储设备的片上缓冲编程调度方式,
其中,在静态调度方式中根据给定顺序依次执行缓冲编程操作和主编程操作,并且在动态调度方式中连续地执行缓冲编程操作而不执行主编程操作,在连续执行缓冲编程操作之后进行动态调度方式的延迟的主编程操作。
2.如权利要求1所述的片上缓冲编程方法,其中,片上缓冲编程调度方式包括缓冲编程操作和主编程操作。
3.如权利要求2所述的片上缓冲编程方法,其中,在连续进行缓冲编程操作的预定时间段之后进行根据动态调度方式的延迟的主编程操作。
4.如权利要求2所述的片上缓冲编程方法,其中,多位存储设备包括被定义为第一区域和第二区域的存储单元阵列,该第一区域由每个被指定为存储1-位数据的存储单元形成,而该第二区域由每个被指定为存储M-位数据的存储单元形成,M是3或更大的整数。
5.如权利要求4所述的片上缓冲编程方法,其中,当对应于第一区域的最小编程单元的数据被存储到存储控制器的缓冲存储器中时,根据存储控制器的控制来触发缓冲编程操作;当对应于第二区域的最小编程单元的数据被存储到第一区域中时,根据存储控制器的控制来触发主编程操作,并且主编程操作包括1步编程操作、粗糙编程操作或精细编程操作中的至少一个。
6.如权利要求4所述的片上缓冲编程方法,其中,主编程操作包括用于从第一区域中读取数据的单位读取操作和用于将从第一区域中读取的数据存储到第二区域中的多位编程操作,根据主编程操作而迭代进行单位读取操作。
7.如权利要求1所述的片上缓冲编程方法,其中,基于在参考时间段期间处理的数据量来确定数据存储设备的性能。
8.如权利要求1所述的片上缓冲编程方法,其中,目标性能是预定最小吞吐量阈值,并且如果所测量的性能低于数据存储设备的目标性能,则选择动态调度方式。
9.如权利要求8所述的片上缓冲编程方法,其中,如果所测量的性能高于数据存储设备的目标性能,则选择静态调度方式。
10.一种数据存储设备,包括:
多位存储设备,具有被定义为第一区域和第二区域的存储单元阵列;及
存储控制器,具有缓冲存储器并被配置为控制多位存储设备,
其中,存储控制器控制多位存储设备以执行缓冲编程操作和主编程操作,在缓冲编程操作中将存储在缓冲存储器中的数据存储到第一区域中,在主编程操作中将存储在第一区域中的数据存储到第二区域中;以及
其中,基于处理的数据的吞吐量变化以满足目标性能,存储控制器选择静态调度方式和动态调度方式中的一个作为缓冲编程操作和主编程操作的片上缓冲编程调度方式,
其中,在静态调度方式中根据给定顺序依次执行缓冲编程操作和主编程操作,并且在动态调度方式中连续地执行缓冲编程操作而不执行主编程操作,主编程操作根据动态调度方式主编程操作被延迟预定量并在连续执行缓冲编程操作之后进行。
11.如权利要求10所述的数据存储设备,其中,第一区域由每个被指定用于存储1-位数据的存储单元形成,而第二区域由每个被指定用于存储M-位数据的存储单元形成,M是3或更大的整数。
12.如权利要求11所述的数据存储设备,其中,基于在参考时间段期间处理的数据量来确定数据的吞吐量,并基于数据的吞吐量来确定数据存储设备的性能,以及
其中,当所确定的性能不满足数据存储设备的目标性能时选择动态调度方式,而当所确定的性能满足数据存储设备的目标性能时选择静态调度方式。
13.如权利要求11所述的数据存储设备,其中,在其中连续进行缓冲编程操作的预定时间段之后进行根据动态调度方式的延迟的主编程操作。
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