[发明专利]SRAM单元和阵列

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地来说，涉及SRAM单元和阵列。

背景技术

作为实例，半导体器件被用于各种电子应用，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底的上方顺序沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路部件和元件来制造半导体器件。

存储器件是用于存储数字信息的半导体器件。一种类型的存储器件是静态随机存取存储器（SRAM）器件，其是不要求如动态随机存取存储器（DRAM）器件的周期性刷新来存储信息的存储器件。SRAM器件使用双稳态锁存电路来存储数据位。一些最近的SRAM器件的设计将鳍式场效应晶体管（FinFET）作为SRAM单元的晶体管器件。FinFET是具有在集成电路的半导体表面外垂直凸起的鳍式半导体沟道的晶体管结构。

半导体工业持续通过不断减小最小部件尺寸来提高各种电子部件的集成密度，这允许更多的部件集成到给定面积中。在许多应用中期望减小SRAM单元的大小，以提高器件性能、减小功率要求和允许更多的SRAM单元位于集成电路管芯上的给定量的表面积内。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种静态随机存取存储器（SRAM）单元，包括：上拉晶体管，所述上拉晶体管包括鳍型场效应晶体管（FinFET），所述上拉晶体管包括半导体材料的鳍、设置在所述鳍内的有源区域；以及接触件，设置在所述上拉晶体管的所述有源区域的上方，其中，所述接触件包括在第一方向上设置的槽式接触件，所述上拉晶体管的所述有源区域设置在第二方向上，其中，所述第二方向不与所述第一方向垂直。

在该SRAM单元中，所述第二方向被定位为相对于所述第一方向具有大约35至50度的夹角。

在该SRAM单元中，所述上拉晶体管包括p沟道金属氧化物半导体（PMOS）器件，其中，所述上拉晶体管包括第一上拉晶体管，所述接触件包括第一接触件，所述SRAM单元还包括：第二上拉晶体管，包括FinFET；以及第二接触件，设置在所述第二上拉晶体管的有源区域的上方，其中，所述第二接触件包括在所述第一方向上设置的槽式接触件，其中，在第三方向上设置所述第二上拉晶体管的有源区域，其中，所述第三方向不与所述第一方向垂直。

在该SRAM单元中，所述第一上拉晶体管的鳍包括第一鳍，所述第二上拉晶体管的鳍包括第二鳍，所述第一鳍和所述第二鳍在有源区域中包括弯曲形状，所述SRAM单元还包括：第一下拉晶体管，连接至所述第一上拉晶体管；第二下拉晶体管，连接至所述第二上拉晶体管；第一传输门晶体管，连接至所述第一下拉晶体管；以及第二传输门晶体管，连接至所述第二下拉晶体管，其中，所述第一传输门晶体管的有源区域和所述第一下拉晶体管的有源区域包括半导体材料的第三鳍，所述第二传输门晶体管的有源区域和所述第二下拉晶体管的有源区域包括半导体材料的第四鳍，以及其中，所述第三鳍和所述第四鳍基本上平直并且分别设置在所述第一鳍和所述第二鳍的任一侧。

根据本发明的另一方面，提供了一种静态随机存取存储器（SRAM）单元，包括：第一反相器，包括第一n型器件和第一p型器件，所述第一n型器件和所述第一p型器件包括鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），所述第一p型器件在有源区域中包括弯曲状布局；第一栅电极，设置在所述第一p型器件的有源区域的上方；第二反相器，包括第二n型器件和第二p型器件，所述第二n型器件和所述第二p型器件包括鳍型MOSFET，所述第二p型器件在有源区域中包括弯曲状布局；以及第二栅电极，设置在所述第二p型器件的有源区域的上方，其中，所述第一反相器的输出端连接至所述第二反相器的输入端，以及所述第二反相器的输出端连接至所述第一反相器的输入端。

在该SRAM单元中，所述第一n型器件包括具有漏极的至少一个鳍型MOSFET，所述第二n型器件包括具有漏极的至少一个鳍型MOSFET，其中，所述第一p型器件和所述第二p型器件都包括漏极，所述SRAM单元还包括：第一加长接触件，将所述第一n型器件的漏极和所述第一p型器件的漏极连接在一起；以及第二加长接触件，将所述第二n型器件的漏极和所述第二p型器件的漏极连接在一起。