[发明专利]有机发光二极管的抗反射结构无效

专利信息
申请号: 201210191935.3 申请日: 2012-06-12
公开(公告)号: CN103490014A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 吕建民;黄彪岳;张静潮 申请(专利权)人: 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 反射 结构
【说明书】:

技术领域

发明与有机发光二极管有关,特别是关于一种有机发光二极管的抗反射结构。

背景技术

一般有机发光二极管(OLED)的抗反射结构1’是如图1所示,其是包括四分之一波长延迟板2’及偏光板3’。

环境光线L2’是依序经过偏光板3’、四分之一波长延迟板2’,再经有机发光二极管4’反射而经过四分之一波长延迟板2’,最后即被偏光板3吸收,达到完全抗反射的功效。

再者,四分之一波长延迟板2’是可设置在有机发光二极管4’上,偏光板3’是可设置在四分之一波长延迟板2’上;其中,目前市面上及工艺上,是将偏光板3’完全吸收从有机发光二极管4’所发出的光线L1’其中一偏极方向,而让光线L1’的另一偏极方向通过,但因为实际工艺上的原因,导致光线L1’通过四分之一波长延迟板2’及偏光板3’的穿透率是仅小于50%,导致有机发光二极管4’所呈现出来的出光效率不佳。

基于上述问题,发明人提出了一种有机发光二极管的抗反射结构,以克服现有技术的缺陷。

发明内容

本发明目的在于提供一种无需增加额外复杂工艺,即可提高有机发光二极管所发射出的光线的穿透率的有机发光二极管的抗反射结构。

为达上述目的,本发明是提供一种有机发光二极管的抗反射结构,包括:一四分之一波长延迟板,设置在一有机发光二极管之上;一偏光板,是设置在该四分之一波长延迟板上,该偏光板是供该有机发光二极管所发出的一光线的一第一偏极方向通过,并供该光线的一第二偏极方向部分通过。

其中,该偏光板具有50%(1+T%)的穿透率,其中,该50%穿透率是供该光线的该第一偏极方向通过,该50%*T%穿透率是供该光线的该第二偏极方向部分通过,该T%穿透率范围是10%~90%。

其中,该偏光板的该50%(1+T%)穿透率为55%~95%。

其中,一环境光线依序经过该偏光板、该四分之一波长延迟板,再经该有机发光二极管反射而依序经过该四分之一波长延迟板、该偏光板出射的光量相较于入射的环境光线的光量,是等于或小于T%。

其中,该第一偏极方向是为x方向,该第二偏极方向是为y方向;或者是,该第一偏极方向是为y方向,该第二偏极方向是为x方向。

其中,该T%的穿透率是由在该偏光板上加入碘染料的浓度进行调整。

通过上述结构,相较于现有技术的结构(穿透率小于50%)而言,是无须在增加额外复杂工艺的条件下,即可获得较高的穿透率50%(1+T%);另虽然环境光线L2入射有机发光二极管的抗反射结构1会产生有T%的反射光量,但仍在实际应用上尚在可接受的范围内。

附图说明

图1是表示现有有机发光二极管的抗反射结构的剖视示意图;

图2是表示本发明有机发光二极管的抗反射结构的示意图;

图3是表示本发明有机发光二极管的抗反射结构中光线各偏极方向的穿透的示意图;

图4是表示本发明有机发光二极管的抗反射结构中光线转移的一实施例的示意图;

图5是表示本发明有机发光二极管的抗反射结构中该实施例环境光线的反射状态示意图。

附图标记说明:

[本发明]

1-抗反射结构;2-四分之一波长延迟板;3-偏光板;4-有机发光二极管;L1-光线;L2-环境光线;Lx-第一偏极方向分量;Ly-第二偏极方向分量;R-反射率;P1-第一偏极方向;P2-第二偏极方向;

[现有]

1’-抗反射结构;2’-四分之一波长延迟板;3’-偏光板;4’-有机发光二极管;L1’-光线;L2’-环境光线。

具体实施方式

虽然本发明使用了几个较佳实施例进行解释,但是下列图式及具体实施方式仅仅是本发明的较佳实施例;应说明的是,下面所揭示的具体实施方式仅仅是本发明的例子,并不表示本发明限于下列图式及具体实施方式。

请同时参阅图2及图3,其中,图2是表示本发明有机发光二极管的抗反射结构的示意图,而图3是表示本发明有机发光二极管的抗反射结构中光线各偏极方向的穿透的示意图。

本发明的有机发光二极管的抗反射结构1是包括一四分之一波长延迟板2及一偏光板3。

四分之一波长延迟板2是可设置在一有机发光二极管4之上,且是可相互间隔一段距离而设置,但并不以此为限。

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