[发明专利]有机发光二极管的抗反射结构无效
| 申请号： | 201210191935.3 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103490014A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 吕建民;黄彪岳;张静潮 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;奇美电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 反射 结构 | ||
1.一种有机发光二极管的抗反射结构，其特征在于，包括：
一有机发光二极管；
一四分之一波长延迟板，设置在该有机发光二极管之上；
一偏光板，是设置在该四分之一波长延迟板上，
其中该偏光板是供该有机发光二极管所发出的一光线的一第一偏极方向通过，并供该光线的一第二偏极方向部分通过。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管的抗反射结构，其特征在于，该偏光板具有50%(1+T%)的穿透率，其中，T%是该偏光板供该光线的该第二偏极方向通过的穿透率，该T%范围是为10%~90%。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管的抗反射结构，其特征在于，该T%范围为20%~80%。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管的抗反射结构，其特征在于，该T%为50%。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管的抗反射结构，其特征在于，该偏光板供该光线通过的穿透率为55%~95%。
6.根据权利要求2所述的有机发光二极管的抗反射结构，其特征在于，一环境光线经由该偏光板入射该有机发光二极管的抗反射结构后，再经由该有机发光二极管的抗反射结构内部反射出该偏光板的反射率是等于或小于T%。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管的抗反射结构，其特征在于，该第一偏极方向与该第二偏极方向实质上垂直。
8.根据权利要求2所述的有机发光二极管的抗反射结构，其特征在于，该T%的穿透率是由在该偏光板上加入碘染料的浓度进行调整。
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