[发明专利]减少晶圆电弧放电的方法、晶圆结构和集成电路制造方法

权利要求书

1.一种减少晶圆电弧放电的方法，所述晶圆包括环绕芯片的密封环，所述密封环用于保护晶圆中的芯片内部电路、防止划片损伤；其特征在于所述密封环中布置了开口，从而不形成密闭的环，由此通过密封环中开口的布置来使得所述密封环不对晶圆电弧放电进行传播。

2.根据权利要求1所述的减少晶圆电弧放电的方法，其特征在于，所述密封环包括通过填充了金属的通孔而相互连接的顶层金属和下层金属。

3.根据权利要求2所述的减少晶圆电弧放电的方法，其特征在于，所述顶层金属中布置了开口第一开口，所述下层金属中布置了第二开口，并且，所述顶层金属的所述第一开口和所述下层金属的所述第二开口之间没有布置填充了金属的通孔。

4.一种晶圆结构，其特征在于包括环绕芯片的密封环，所述密封环用于保护晶圆中的芯片内部电路、防止划片损伤；并且，所述密封环中布置了开口，从而不形成密闭的环，由此通过密封环中开口的布置来使得所述密封环不对晶圆电弧放电进行传播。

5.根据权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，所述密封环包括通过填充了金属的通孔而相互连接的顶层金属和下层金属。

6.根据权利要求5所述的晶圆结构，其特征在于，所述顶层金属中布置了开口第一开口，所述下层金属中布置了第二开口，并且，所述顶层金属的所述第一开口和所述下层金属的所述第二开口之间没有布置填充了金属的通孔。

7.一种采用了根据权利要求1至3之一所述的减少晶圆电弧放电的方法的集成电路制造方法。