[发明专利]一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底及制备方法无效
| 申请号： | 201210190964.8 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102703974A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 梁红伟;杨德超;俞振南;夏晓川;申人升;杜国同 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学;浙江水晶光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 徐淑东 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 gan 质量 蓝宝石 图形 衬底 制备 方法 | ||
1.一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底，其特征在于，所述一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底形成于蓝宝石衬底上，表面为规则排列的若干三棱锥（2）或三棱台（3），其周期性排布；三棱锥（2）或三棱台（3）的底面为等边三角形，三个侧面由蓝宝石[1 05]面（4）构成。
2.根据权利要求1所述一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底，其特征在于，所述三棱锥（2）或三棱台（3）的高度在3um以下，且三棱锥（2）或三棱台（3）的底面边长在0.01um到20um之间。
3.根据权利要求1所述一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底，其特征在于，所述由三棱锥（2）组成的衬底图形有高低和大小的变化，即在同一衬底上可以有若干高低不同、大小不同的三棱锥（2），且有排布方式的变化。
4.根据权利要求1所述一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底，其特征在于，所述由三棱台（3）组成的衬底图形有高低和大小的变化，即在同一衬底上可以有若干高低不同、大小不同的三棱台（3），且有排布方式的变化。
5.一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底的制备方法，包括以下步骤：
步骤A: 利用光刻胶在c面蓝宝石衬底（1）上制备三角形光刻胶图形，且三角形光刻胶图形的一条底边在衬底平面内的垂直方向与蓝宝石衬底[110]平边（5）呈30度角；
步骤B: 采用刻蚀方法将三角形光刻胶图形转移到蓝宝石衬底上，三棱锥（2）或三棱台（3）的一条底边在蓝宝石衬底平面内的垂直方向与蓝宝石衬底的（110）平边（5）呈30度角，同时在蓝宝石衬底上进行周期性排布；
步骤C：通过刻蚀方法，在蓝宝石衬底上形成侧面为[105]面的三棱锥（2）或三棱台（3）。
6.根据权利要求5所述一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底的制备方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：ICP干法刻蚀技术、湿法刻蚀技术及干湿混合刻蚀技术。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学;浙江水晶光电科技股份有限公司，未经大连理工大学;浙江水晶光电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210190964.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
