[发明专利]背面接触形成

权利要求书

1.一种半导体，包括：

衬底；

多个布线层和多个电介质层，所述多个布线层和所述多个电介质层形成在衬底上，电介质层将所述多个布线层中相邻的布线层隔开，布线层实现电路；

第一钝化层，形成在所述多个布线层上；

第一接触焊盘，形成在钝化层中，并且电耦合至电路；

布线，形成在钝化层上，并且连接至接触焊盘；以及

贯穿硅通道TSV，贯穿衬底、所述多个布线层、所述多个电介质层、以及钝化层而形成，TSV电连接至形成于钝化层上的布线，除了形成在钝化层上的金属布线所提供的连接以外，TSV与布线层电隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体，还包括：第二接触焊盘，形成在衬底下方并且电耦合至TSV。

3.根据权利要求1所述的半导体，其中，TSV包括：

金属板，形成在所述多个布线层中的每一个布线层中；以及

相应的通道，贯穿将所述多个布线层中相邻的布线层隔开的每个电介质层，每个通道连接所述多个布线层中相邻布线层中的金属板。

4.根据权利要求3所述的半导体，其中，TSV还包括：贯穿衬底而形成并且与所述多个布线层中处于底部的布线层中形成的金属板电耦合的通道。

5.根据权利要求1所述的半导体，还包括：第二钝化层，形成在金属接触焊盘上以及形成在第一钝化层上形成的布线上。

6.根据权利要求4所述的半导体，其中，贯穿衬底而形成并且与所述多个布线层中处于底部的布线层中形成的金属板电耦合的通道是圆锥形的。

7.根据权利要求1所述的半导体，其中，贯穿衬底而形成的TSV与衬底电隔离。

8.一种形成多个半导体的方法，包括：

形成多个相同的半导体管芯，每个管芯包括：

衬底；

多个布线层和多个电介质层，电介质层将所述多个布线层中相邻的布线层隔开，布线层实现电路；

钝化层，形成在所述多个布线层上；

正面接触焊盘，形成在钝化层中，并且电耦合至电路；以及

通道堆叠，贯穿所述多个布线层和所述多个电介质层而形成，并且与布线层所实现的电路电隔离；以及

针对包括至少一个管芯的所述多个相同半导体管芯的每个第一子集，使电路与通道堆叠电隔离；以及

针对所述多个相同半导体管芯的每个第二子集，通过执行以下步骤来形成背面接触，第二子集与第一子集彼此排除并且包括至少一个管芯，所述步骤包括：

形成第一通道，第一通道贯穿钝化层并且电耦合至通道堆叠；

在钝化层上形成布线，布线将正面接触焊盘电耦合至第一通道；以及

形成第二通道，第二通道从衬底的背面开始延伸并贯穿衬底，第二通道电耦合至通道堆叠。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：针对第二子集中的每个管芯，在正面接触焊盘上，以及在所述至少一个管芯的钝化层顶部形成的布线上，形成第二钝化层。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：针对第二子集中的每个管芯，在所述至少一个管芯的衬底的背面形成背面接触焊盘，背面接触焊盘电耦合至第二通道。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在相应的第一半导体封装中，封装第一子集的每个管芯，第一半导体封装具有线键合至正面接触焊盘的外部接触；以及

在相应的第二半导体封装中，封装第二子集的每个管芯，第二半导体封装具有线键合至背面接触焊盘的外部接触。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，贯穿所述多个接层和所述多个电介质层而形成的通道堆叠与衬底电隔离。