[发明专利]像素结构、像素结构的制作方法以及有源元件阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素结构（pixel structure）、像素结构的制作方法以及有源元件阵列基板（active device matrix substrate），特别是涉及一种具有良好存储电容、且能显示良好影像的像素结构、像素结构的制作方法以及有源元件阵列基板。

背景技术

液晶显示面板已经成为显示器的主流之一。随着液晶显示面板的发展，快速反应、广视角、防色偏等多种需求，促使液晶显示器进行多种显示模式的演进，例如：可进行广视角显示的多域垂直配向液晶显示面板（Multi-Vertical Alignment Liquid Crystal Display,MVA-LCD）、以及共平面切换式液晶显示器（In Plane Switch Liquid Crystal Display,IPS-LCD）等。

在以往的共平面切换式液晶显示器中，利用共平面的像素电极与共用电极来造成实质上为水平的电场，促使液晶分子进行偏转，进而控制光线的穿透或不穿透。然而，由于以往的共平面切换式液晶显示器的像素结构的存储电容过小之故，导致共平面切换式液晶显示面板的显示画面容易产生闪烁（flicker）现象，当闪烁现象严重时将造成严重的残影以及水平串音（cross talk）等问题。

然而，为了降低闪烁现象，若通过加大像素结构的存储电容的方式，则共用电极会占据像素结构的面积，反而会使得像素结构的开口率（aperture ratio）下降，而导致光线的利用效率下降。因此，提升存储电容与维持开口率两者之间，长久以来存在难以取舍（trade off）的问题。由此可知，提出一种能够同时兼顾存储电容与开口率的像素结构是有其必要的。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种像素结构，能够同时提供良好的开口率以及足够的存储电容，进而显示良好的影像。

本发明再一目的在于提出一种像素结构的制作方法，能够制作上述的像素结构。

本发明又一目的在于提出一种有源元件阵列基板，具有上述的像素结构。

为达上述目的，本发明提出一种像素结构，设置于基板上，所述像素结构由扫描线与数据线所驱动，所述像素结构的特征在于包括：第一图案化金属层，设置于所述基板上，所述第一图案化金属层具有共用线与栅极；第一绝缘层，覆盖所述第一图案化金属层；  半导体图案，位于所述栅极上方的所述第一绝缘层上；第二图案化金属层，设置于所述第一绝缘层上，所述第二图案化金属层具有源极与漏极，所述源极与所述漏极电连接于所述半导体图案；第二绝缘层，覆盖所述第二图案化金属层，所述第二绝缘层具有接触窗开口暴露出所述漏极；以及电极层，设置于所述第二绝缘层上，所述电极层具有像素电极与共用电极，所述像素电极经由所述接触窗开口而连接到所述漏极，其中，所述共用线、所述第一绝缘层与所述像素电极构成第一存储电容，所述共用线、所述漏极与所述共用电极构成三明治结构，所述共用线、所述第一绝缘层与所述漏极构成第二存储电容，且所述漏极、所述第二绝缘层与所述共用电极构成第三存储电容，部分的所述漏极延伸到所述共用线上方、且重叠于所述共用线上方的所述第一绝缘层上。

在本发明的一实施例中，部分的所述共用电极延伸到所述共用线上方、且重叠于所述共用线上方的所述第二绝缘层上。

在本发明的一实施例中，所述像素电极与所述共用电极彼此交错设置。

在本发明的一实施例中，所述扫描线的一部分为所述栅极。

在本发明的一实施例中，所述数据线的一部分为所述源极。

在本发明的一实施例中，所述栅极、所述源极与所述漏极构成主动开关元件。

在本发明的一实施例中，所述电极层的材料是选自于铟锡氧化物、铟锌氧化物及其组合。