[发明专利]像素结构、像素结构的制作方法以及有源元件阵列基板

权利要求书

1.一种像素结构，设置于基板上，所述像素结构由扫描线与数据线所驱动，所述像素结构的特征在于包括：

第一图案化金属层，设置于所述基板上，所述第一图案化金属层具有共用线与栅极；

第一绝缘层，覆盖所述第一图案化金属层；

半导体图案，位于所述栅极上方的所述第一绝缘层上；

第二图案化金属层，设置于所述第一绝缘层上，所述第二图案化金属层具有源极与漏极，所述源极与所述漏极电连接于所述半导体图案；

第二绝缘层，覆盖所述第二图案化金属层，所述第二绝缘层具有接触窗开口暴露出所述漏极；以及

电极层，设置于所述第二绝缘层上，所述电极层具有像素电极与共用电极，所述像素电极经由所述接触窗开口而连接到所述漏极，

其中，所述共用线、所述第一绝缘层与所述像素电极构成第一存储电容，

所述共用线、所述漏极与所述共用电极构成三明治结构，所述共用线、所述第一绝缘层与所述漏极构成第二存储电容，且所述漏极、所述第二绝缘层与所述共用电极构成第三存储电容，

部分的所述漏极延伸到所述共用线上方、且重叠于所述共用线上方的所述第一绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：

部分的所述共用电极延伸到所述共用线上方、且重叠于所述共用线上方的所述第二绝缘层上。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：

所述像素电极与所述共用电极彼此交错设置。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：

所述扫描线的一部分为所述栅极。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：

所述数据线的一部分为所述源极。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：

所述栅极、所述源极与所述漏极构成主动开关元件。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：

所述电极层的材料是选自于铟锡氧化物、铟锌氧化物及其组合。

8.一种像素结构的制作方法，在基板上形成所述像素结构，且所述像素结构由扫描线与数据线所驱动，所述像素结构的制作方法的特征在于包括：

形成第一图案化金属层于所述基板上，所述第一图案化金属层具有共用线与栅极；

形成第一绝缘层覆盖所述第一图案化金属层；

形成半导体图案于所述栅极上方的所述第一绝缘层上；

形成第二图案化金属层于所述第一绝缘层上，所述第二图案化金属层具有源极与漏极，所述源极与所述漏极电连接于所述半导体图案；

形成第二绝缘层覆盖所述第二图案化金属层，所述第二绝缘层具有接触窗开口暴露出所述漏极；以及

形成电极层于所述第二绝缘层上，所述电极层具有像素电极与共用电极，所述像素电极经由所述接触窗开口而连接到所述漏极，

其中，所述共用线、所述第一绝缘层与所述像素电极构成第一存储电容，

所述共用线、所述漏极与所述共用电极构成三明治结构，所述共用线、所述第一绝缘层与所述漏极构成第二存储电容，且所述漏极、所述第二绝缘层与所述共用电极构成第三存储电容，

部分的所述漏极延伸到所述共用线上方、且重叠于所述共用线上方的所述第一绝缘层上。

9.根据权利要求8所述的像素结构的制作方法，其特征在于：

部分的所述共用电极延伸到所述共用线上方、且重叠于所述共用线上方的所述第二绝缘层上。

10.根据权利要求8所述的像素结构的制作方法，其特征在于：

所述像素电极与所述共用电极彼此交错设置。

11.根据权利要求8所述的像素结构的制作方法，其特征在于：

所述扫描线的一部分为所述栅极。

12.根据权利要求8所述的像素结构的制作方法，其特征在于：

所述数据线的一部分为所述源极。

13.根据权利要求8所述的像素结构的制作方法，其特征在于：

所述栅极、所述源极与所述漏极构成主动开关元件。

14.根据权利要求8所述的像素结构的制作方法，其特征在于：

所述电极层的材料是选自于铟锡氧化物、铟锌氧化物及其组合。