[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210190200.9 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103489778A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；
在所述半导体衬底上形成一硼氮缓冲层，以覆盖所述栅极结构；
紫外线处理所述硼氮缓冲层，以驱除所述硼氮缓冲层中的氢元素；
在所述半导体衬底上形成一应力材料层，以覆盖所述硼氮缓冲层；
实施一退火过程；
去除所述应力材料层和所述硼氮缓冲层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述硼氮缓冲层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的参数包括：B2H6气体的流速为100-600sccm、NH3气体的流速为20-200sccm、N2气体的流速为500-3000sccm，压力为1-15Torr，射频功率为200-1000W，温度为350-450℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用紫外光照射的方式实施所述处理。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述紫外光照射的照射源来自紫外灯。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述紫外光照射的参数包括：照射时间为30-90s、温度为350-450℃、紫外灯功率为50-150W、氦气流速为5000-15000sccm、紫外光波长为200-300nm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述应力材料层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火过程包括快速热退火、激光退火、峰值退火或闪光灯退火
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在位于所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有经掺杂的源/漏区，在所述源/漏区之间为沟道区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
