[发明专利]一种集成电路的制作方法

权利要求书

1.一种集成电路的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成N阱和P阱；

在所述N阱和所述P阱的场区上依次形成场氧化层、第一多晶硅层图形和绝缘介质层图形，所述第一多晶硅层图形包括：位于所述场氧化层上的双多晶电容的下极板和第一多晶硅层电阻，所述第一多晶硅层电阻包括第一多晶硅层低值电阻和第一多晶硅层高值电阻；

在所述N阱和所述P阱的有源区上形成栅氧化层；

在所述栅氧化层、所述场氧化层和所述绝缘介质层图形上，形成第二多晶硅层图形，所述第二多晶硅层图形包括：位于所述栅氧化层上的多晶硅栅，位于所述场氧化层上的第二多晶硅层低值电阻，位于所述绝缘介质层上的双多晶电容的上极板；

在所述有源区形成源漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述N阱和所述P阱的场区上依次形成场氧化层、第一多晶硅层图形和绝缘介质层图形；在所述N阱和所述P阱的有源区上形成栅氧化层包括：

在所述N阱和P阱上形成场氧化层和覆盖在所述N阱和P阱有源区上的牺牲氧化层；

在所述场氧化层和牺牲氧化层上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行掺杂，形成低浓度掺杂区域和高浓度掺杂区域，所述低浓度掺杂区域用于形成所述高值电阻，所述高浓度掺杂区域用于形成所述双多晶电容的下极板和低值电阻；

在所述多晶硅层上形成绝缘介质层；

通过构图工艺在所述场氧化层上形成所述双多晶电容的下极板、高值电阻、低值电阻和位于所述双多晶电容的下极板、高值电阻、低值电阻上的所述绝缘介质层图形；

去除所述牺牲氧化层，在所述有源区表面生成栅氧化层并同时对所述绝缘介质层图形进行高温致密。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅层上形成绝缘介质层包括：

在所述多晶硅层上淀积二氧化硅膜层；

在所述二氧化硅膜层上淀积氮化硅膜层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述栅氧化层、所述场氧化层和所述绝缘介质层图形上，形成第二多晶硅层图形包括：

在所述栅氧化层、所述场氧化层和所述绝缘介质层图形上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行高浓度掺杂；

通过构图工艺在所述栅氧化层上形成多晶硅栅，同时在所述场氧化层上形成低值电阻、在所述绝缘介质层图形上形成双多晶电容的上极板。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅膜层的厚度为100至400埃，所述氮化硅膜层的厚度为100至400埃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述有源区形成MOS管的源漏区包括：

利用构图工艺在所述有源区形成MOS管的所述源漏区，并同时对所述高值电阻进行掺杂，形成中值电阻。