[发明专利]一种铝金属线的制作方法有效
| 申请号： | 201210186603.6 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474390A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 赵强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属线 制作方法 | ||
1.一种铝金属线的制作方法，包括粘合层沉积工艺、铝金属层沉积工艺、抗反射膜沉积工艺、铝金属线刻蚀工艺以及电介质层沉积工艺，其特征在于：所述粘合层沉积工艺包括以离子化金属工艺在衬底上沉积钛层，并在沉积过程中，对沉积表面施加一方向控制电场，使钛层晶粒的沉积方向一致。
2.如权利要求1所述的铝金属线制作方法，其特征在于：所述离子化金属工艺的参数包括：压力10毫托-30毫托，直流电功率5500瓦至6500瓦，氩气离子气体流量30sccm-40sccm，温度30度-100度。
3.如权利要求1所述的铝金属线制作方法，其特征在于：所述方向控制电场的电场方向为竖直方向，使所述钛层晶粒呈竖条状排列。
4.如权利要求1所述的铝金属线制作方法，其特征在于：所述粘合层沉积工艺进一步包括在该钛层上制备氮化钛的工艺，在离子化金属工艺沉积钛层之后，利用物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺在该钛层上制作所述氮化钛层。
5.如权利要求1所述的铝金属线制作方法，其特征在于：所述铝金属层沉积工艺采用物理气相沉积工艺制作。
6.如权利要求1所述的铝金属线制作方法，其特征在于：所述抗反射层沉积工艺采用物理气相沉积工艺制作。
7.如权利要求1所述的铝金属线制作方法，其特征在于：所述电介质沉积工艺采用分阶段的等离子体增强方法，在上述的铝金属线上沉积一层二氧化硅层。
8.如权利要求7所述的铝金属线制作方法，其特征在于：所述分阶段的等离子体增强方法包括：以第一等离子体变频功率进行电介质层沉积的填充阶段，以相对第一等离子变频功率较高的第二等离子变频功率进行电介质层沉积的覆盖阶段，所述第一等离子体变频功率满足电介质层在沉积时，对铝金属线侧壁上的横向应力不足以破坏该铝金属线上的晶粒排布。
9.如权利要求8所述的铝金属线制作方法，其特征在于：所述第一等离子体变频功率为450瓦-500瓦。
10.如权利要求8所述的铝金属线制作方法，其特征在于：所述第二等离子体变频功率为600瓦-700瓦。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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