[发明专利]半导体结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体结构。

背景技术

由氮化镓半导体材料制成的高效蓝光、绿光和白光半导体结构具有寿命长、节能、绿色环保等显著特点，已被广泛应用于大屏幕彩色显示、汽车照明、交通信号、多媒体显示和光通讯等领域，特别是在照明领域具有广阔的发展潜力。

传统的半导体结构通常包括一基底、N型半导体层、P型半导体层、设置在N型半导体层与P型半导体层之间的活性层、设置在P型半导体层上的P型电极(通常为透明电极)以及设置在N型半导体层上的N型电极。所述N型半导体层、活性层以及P型半导体层依次层叠设置在基底表面。所述P型半导体层远离基底的表面作为半导体结构的出光面。半导体结构处于工作状态时，在P型半导体层与N型半导体层上分别施加正、负电压，这样，存在于P型半导体层中的空穴与存在于N型半导体层中的电子在活性层中发生复合而产生光，光从半导体结构中射出。然而，来自活性层的近场倏逝光波(衰减距离小于20纳米的波)在向外辐射的过程中均由于迅速衰减而无法出射，从而被限制在半导体结构的内部，被半导体结构内的材料完全吸收，影响了半导体结构的出光率。

发明内容

综上所述，确有必要提供一种光取出效率较高的半导体结构。

一种半导体结构，其包括：依次层叠设置的一第一半导体层；一活性层以及一第二半导体层；以及一金属陶瓷层，其设置于所述第二半导体层远离第一半导体层的表面并接触设置。

与现有技术相比，本发明提供的半导体结构具有以下有益效果：虽然活性层产生的近场倏逝波中的大部分会在传播过程中衰减，但是仍有少量的近场倏逝波会传播至金属陶瓷层，由活性层产生的微量近场倏逝波到达金属陶瓷层后，在金属陶瓷层的作用下近场倏逝波被放大并转换成为金属等离子体，金属等离子体被金属陶瓷层散射，从而向周围传播，金属等离子体由基底一侧出射并耦合成为可见光，如此，可使活性层中产生的金属等离子体被提取。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的半导体结构的结构示意图。

图2为本发明第二实施例提供的半导体结构的结构示意图。

图3为本发明第三实施例提供的半导体结构的结构示意图。

图4为本发明第四实施例提供的半导体结构的结构示意图。

图5为图4中的半导体结构中形成有三维纳米结构的第二半导体层的结构示意图。

图6为图4中的半导体结构中形成有三维纳米结构的第二半导体层的扫描电镜示意图。

图7为本发明第五实施例提供的发光二极管的结构示意图。

图8为本发明第六实施例提供的制备图7中的发光二极管的工艺流程图。

图9为本发明第七实施例提供的发光二极管的结构示意图。

图10为本发明第八实施例提供的制备图9中的发光二极管的工艺流程图。

图11为本发明第九实施例提供的发光二极管的结构示意图。

图12为本发明第十一实施例提供的发光二极管的结构示意图。

图13为本发明第十二实施例提供的太阳能电池的结构示意图。

图14为本发明第十三实施例提供的波导管的结构示意图。

图15为本发明第一实施例提供的发光二极管的增强因子和频率的关系图。

主要元件符号说明