[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201210185724.9 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474549A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/20;H01L31/0216 |
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| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其包括：依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，其特征在于：进一步包括一金属陶瓷层，其设置于所述第二半导体层远离所述活性层的表面且接触设置。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属陶瓷层为金属材料和电介质材料构成的复合材料层。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属陶瓷层中所述电介质材料所占的质量百分比小于等于40%。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属材料为金、银、铝、铜、金银合金、金铝合金或银铝合金。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电介质材料包括二氧化硅、硅以及陶瓷材料中的一种。
6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属陶瓷层为二氧化硅和银的复合材料层
如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述金属陶瓷层中所述二氧化硅所占的质量百分比为20%。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构设置于所述第一半导体层、活性层、第二半导体层、金属陶瓷层的表面。
8.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，每个三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形。
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为一太阳能电池。
11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为一波导管。
12.一种半导体结构，其包括：依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，其特征在于：进一步包括一保护层，该保护层设置于所述第二半导体层远离基底的表面，以及一金属陶瓷层设置于所述保护层远离所述活性层的表面且接触设置。
13.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料为二氧化硅、氟化镁或氟化锂。
14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的厚度为5纳米至40纳米。
15.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的折射率的范围为1.2至1.5。
16.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构设置于所述保护层的表面。
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