[发明专利]实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置

权利要求书

1.实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置，其特征在于：包括半导体激光器单元（1），所述半导体激光器单元（1）与底板（4）连接，所述底板（4）还设置有柱面反射镜（2），所述柱面反射镜（2）正前方设置有汇聚光学模块（3）。

2.实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置，其特征在于：所述半导体激光器单元（1）为单个发光区或多个发光区。

3.根据权利要求1所述的实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置，其特征在于：所述半导体激光器单元（1）与底板（4）的连接处设置为台阶状，且设置有过渡热沉（5），所述半导体激光器单元（1）一线分布、高度递增，统一以一定的斜角向斜前方发射激光，所述半导体激光器单元（1）的数量范围为2～50。

4.根据权利要求1所述的实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置，其特征在于：所述汇聚光学模块（3）由一组消像差的透射透镜或者一片球面反射镜或者非球面反射镜组成。

5.根据权利要求1所述的实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置，其特征在于：所述柱面反射镜（2）的中心高度沿入射激光传输方向依次递增。

6.根据权利要求1所述的实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置，其特征在于：所述柱面反射镜（2）由金属基体或玻璃或其它基体组成，其中所述柱面反射镜（2）的镀膜为金属膜或介质膜，其中所述柱面反射镜（2）的反射面在慢轴方向为普通圆弧或非球面曲线，快轴方向为直线或接近直线。