[发明专利]电压产生器及能带隙参考电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电压产生器及能带隙参考（bandgap reference）电路，尤其涉及一种具有较小版图面积并适于实现高精确度参考电压的电压产生器及能带隙参考电路。

背景技术

模拟电路应用中常使用不受温度变化影响的稳定参考电压源或电流源，来提供一参考电压或参考电流，以利监督电源或是其它电路的操作正确性，而能带隙参考电路（Bandgap Reference Circuit）即为此类电路。简单来说，能带隙参考电路是将一正温度系数（proportional to absolute temperature，PTAT）的电流/电压与一负温度系数（complementary to absolute temperature，CTAT）的电流/电压以适当比例混合相加，将正温度系数与负温度系数相互抵销后，产生一零温度系数的电流/电压。

详细来说，请参考图1，图1为公知技术中一能带隙参考电路10的示意图。能带隙参考电路10包括有一运算放大器100、双载子晶体管Q1、Q2及电阻R1～R3。如图1所示，在能带隙参考电路10中，运算放大器100的正负输入端输入电压VX与VY相等（VX=VY=VEB1，VEB1为双载子晶体管Q1的基射极电压），通过电压VY与VZ（即VEB2）的电压差（即VY－VZ）及电阻R3，可产生一正温度系数电流Iptat，如式（1）所示：

Iptat=VY-VZR3=VEB1-VEB2R3=VTlnKR3---(1)]]>

其中，K表示双载子晶体管Q2可视为由K个双载子晶体管Q1并联而成。由于热电压V_T是正温度系数，因此由式（1）可知电阻R3所载的正温度系数电流Iptat是正温度系数。

由于双载子晶体管Q2的基射极电压VEB2具有负温度系数，Vout代表能带隙参考电路10在其输出端所输出的能带隙参考电压，如式（2）所示：

Vout=VTlnKR3*(R2+R3)+VEB2]]>