[发明专利]电压产生器及能带隙参考电路

权利要求书

1.一种电压产生器，包括有：

一第一晶体管，包括有一第一端耦接于一电压源，及一第二端耦接于该第一晶体管的一第三端；

一第二晶体管，包括有一第一端耦接于该电压源，及一第二端耦接于该第二晶体管的一第三端；

一运算放大器，包括有一第一输入端耦接于该第一晶体管的该第二端及该第三端，一第二输入端耦接于该第二晶体管的该第二端及该第三端，及一输出端；

一电容，包括有一第一端耦接于该运算放大器的该输出端，以及一第二端耦接于一地端；

一第三晶体管，包括有一第一端耦接于该第一晶体管的该第三端，一第二端耦接于该运算放大器的该输出端与该电容的该第一端，及一第三端；

一第四晶体管，包括有一第一端耦接于该第二晶体管的该第三端，一第二端耦接于该运算放大器的该输出端与该电容的该第一端，及一第三端耦接于该地端；以及

一第一电阻，耦接于该第三晶体管的该第三端与该地端之间。

2.如权利要求1所述的电压产生器，其特征在于，该第一晶体管及该第二晶体管为P型金氧半场效晶体管。

3.如权利要求1所述的电压产生器，其特征在于，该运算放大器为具有P型金氧半场效晶体管及N型金氧半场效晶体管的一运算放大器。

4.如权利要求1所述的电压产生器，其特征在于，该运算放大器用来根据该第一输入端与该第二输入端所接收的信号，产生一控制信号，以控制该第三晶体管操作在一第一亚阈值区与控制该第四晶体管操作在一第二亚阈值区。

5.如权利要求1所述的电压产生器，其特征在于，该第三晶体管与该第四晶体管为N型金氧半场效晶体管。

6.如权利要求1所述的电压产生器，其特征在于，该第三晶体管与该第四晶体管为不同类型的晶体管，该第三晶体管的阈值电压与该第四晶体管的阈值电压不同，且该第一电阻的两端电压差等于该第三晶体管的阈值电压及该第四晶体管的阈值电压的电压差。

7.如权利要求1所述的电压产生器，其特征在于，该第一电阻的两端电压差等于该第三晶体管的该栅源极电压及该第四晶体管的该栅源极电压的电压差。

8.如权利要求1所述的电压产生器，其特征在于，该第一电阻根据该第三晶体管的栅源极电压及该第四晶体管的栅源极电压的电压差，产生一负温度系数电压并根据该负温度系数电压，产生一负温度系数电流。

9.一种能带隙参考电路，包括有：

一正温度系数电流源，用来产生一正温度系数电流；

一负温度系数电压产生器，包括有：

一第一晶体管，包括有一第一端耦接于一电压源，及一第二端耦接于该第一晶体管的一第三端；

一第二晶体管，包括有一第一端耦接于该电压源，及一第二端耦接于该第二晶体管的一第三端；

一运算放大器，包括有一第一输入端耦接于该第一晶体管的该第二端及该第三端，及一第二输入端耦接于该第二晶体管的该第二端及该第三端，及一输出端；

一电容，包括有一第一端耦接于该运算放大器的该输出端，以及一第二端耦接于一地端；

一第三晶体管，包括有一第一端耦接于该第一晶体管的该第三端，一第二端耦接于该运算放大器的该输出端与该电容的该第一端，及一第三端；

一第四晶体管，包括有一第一端耦接于该第二晶体管的该第三端，一第二端耦接于该运算放大器的该输出端与该电容的该第一端，及一第三端耦接于该地端；以及

一第一电阻，耦接于该第三晶体管的该第三端与该地端之间，用来根据该第三晶体管的一栅源极电压及该第四晶体管的一栅源极电压的电压差，产生一负温度系数电压；以及

一零温度系数电压产生器，耦接于该正温度系数电流源与该负温度系数电压产生器之间，用来根据一正温度系数电流及该负温度系数电压，以产生一零温度系数电压。

10.如权利要求9所述的能带隙参考电路，其特征在于，该第一晶体管及该第二晶体管为P型金氧半场效晶体管。

11.如权利要求9所述的能带隙参考电路，其特征在于，该运算放大器为具有P型金氧半场效晶体管及N型金氧半场效晶体管的一运算放大器。