[发明专利]低压LDMOS的制造方法有效
| 申请号： | 201210182990.6 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456635A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;刘冬华;钱文生;胡君;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 ldmos 制造 方法 | ||
1.一种低压LDMOS的制造方法，其特征在于：包含如下步骤：
第1步，在轻掺杂的P型衬底上进行P阱注入，然后生长第一栅氧化层；
第2步，光刻打开第一栅氧化层的窗口；
第3步，在打开的窗口内生长第二栅氧化层；
第4步，在整个器件表面淀积多晶硅；
第5步，刻蚀掉沟道两侧多晶硅及第一栅氧化层，形成栅极结构；
第6步，进行轻掺杂源漏注入，且轻掺杂漏区的注入能量高于轻掺杂源区，形成不对称的结构；
第7步，生长栅极侧墙；
第8步，进行源漏注入，器件完成。
2.如权利要求1所述的低压LDMOS的制造方法，其特征在于：所述第1步中生长的第一栅氧化层厚度范围是40～70埃。
3.如权利要求1所述的低压LDMOS的制造方法，其特征在于：所述第2步中光刻打开的窗口小于沟道长度，窗口边缘到栅边缘的距离范围为0.05～0.2μm。
4.如权利要求1所述的低压LDMOS的制造方法，其特征在于：所述第3步中生长的第二栅氧化层厚度范围是20～40埃。
5.如权利要求1所述的低压LDMOS的制造方法，其特征在于：所述第5步刻蚀掉两次生长的栅氧后形成的栅氧化层结构是呈现中间薄，两头厚的形状。
6.如权利要求1所述的低压LDMOS的制造方法，其特征在于：器件的阈值电压是根据所述第2步打开的窗口大小，或者是第5步多晶硅栅极刻蚀保留的栅极长度来调整；即控制沟道两端的第一栅氧化层长度占整个器件沟道长度的比例。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
