[发明专利]半导体器件的制造装置和半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉和半导体器件的制造装置和半导体器件的制造方法。

背景技术

最近几年，在IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅型双极晶体管）中，为了实现高性能化和低成本化，正在推进半导体晶片的薄型化。例如，提案有一种技术，将半导体晶片的厚度减薄为50μm～100μm程度，或者其以下的厚度。

在制造器件厚度薄的半导体器件中，例如，在半导体晶片的表面形成器件构造后，进行半导体晶片背面的背面研磨和/或硅蚀刻，使其变成规定的厚度。然后，对每个形成于半导体晶片的表面的器件构造进行切割，将半导体晶片切断成各个半导体芯片。

另外，作为制造器件厚度薄的半导体器件的其他的方法，提案有以下的方法。在半导体晶片的表面形成器件构造后，从半导体晶片的表面侧沿着切割线，形成比半导体器件的器件厚度更深的槽。然后，进行半导体晶片背面的背面研磨和/或硅蚀刻，将半导体晶片减薄至规定的厚度。通过形成于半导体晶片上的槽，半导体晶片被切断成各个半导体芯片。

作为制造器件厚度薄的半导体器件的其他方法，还提案有以下的方法。在半导体晶片的表面形成器件构造后，进行半导体晶片背面的背面研磨和/或硅蚀刻，在比半导体晶片的直径窄的范围仅使半导体晶片的中央部变薄。然后，留下半导体晶片的外周部（以下，作为肋部），或者在除去了肋部后进行切割，将半导体晶片切断成各个半导体芯片。

为了避免因切割而分离的半导体芯片飞散等问题，例如，有一种众所周知的方法是，在半导体晶片的背面粘贴切割用胶带等胶带，然后进行切割。在半导体晶片的背面粘贴胶带然后进行切割的情况下，将粘贴在胶带上的半导体芯片从胶带上拾起并分离成各个半导体芯片。

作为从胶带上拾起半导体芯片的方法，提案有以下的方法。例如利用针（needle）等将半导体芯片从粘贴有胶带侧的背面侧向上方顶起，减少半导体芯片与胶带的接触面积。然后，利用吸引并吸附半导体芯片的例如夹头（collet）等来吸引半导体芯片，从胶带上拾起半导体芯片。但是，在被减薄的半导体芯片中应用这种拾起方法的情况下，通过用针等顶起半导体芯片，半导体芯片的表面有可能受到损伤，或半导体芯片破损。

作为解决这种问题的方法，提案有以下的方法。固定夹具包括：在单面上具有多个突起物和侧壁的夹具基台；和层叠于具有夹具基台的突起物的面上且与侧壁的上表面粘结的粘合层。在具有夹具基台的突起物的面上，由粘合层、突起物和侧壁形成分区空间，利用贯穿孔与真空源连接。通过贯穿孔来吸引分区空间的空气而使粘合层变形，并且吸附夹头从芯片的上表面侧吸引芯片，从粘合层上拾起芯片（例如，参照下述专利文献1）。

另外，作为其他的方法，提案有以下的方法。载置台具有：以覆盖与芯片状部件相对的区域的方式分布的多个吸引槽；和以相对于各个芯片状部件至少在两处部分地与其相对的方式位于这些吸引槽间的突起。在载置台上载置保持片材，通过对吸引槽施加负压，来使保持片材沿着突起变形，而从芯片状部件剥离。此时，首先，进一步增强施加在与芯片状部件的周缘部相对的吸引槽的负压，将保持片材从芯片状部件的周缘部剥离（例如，参照下述专利文献2）。

此外，作为其他的方法，提案有以下的方法。在通过吸附挡块的切割用胶带来载置半导体芯片的背面侧的面上设置有：在上部呈凹状且大致呈半球形状，并且按照相同高度的多个突起分别垂直地竖立的方式设置的吸附面；遍及吸附面的外周部的整个周围，宽0.4mm以下，且高度与突起的高度相同或者与突起的高度之差未满1mm的侧壁。然后，从设置于突起彼此之间的谷部或者突起的侧面或其两者中的至少一个以上的吸附孔吸附切割用胶带（tape），使其吸引靠近突起，利用夹头从半导体芯片的表面侧拾起半导体芯片。当从吸附孔吸附切割用胶带时，在切割用胶带的弹性的范围内，切割用胶带在吸附挡块的侧壁与吸附面之间略微下沉（例如，参照下述专利文献3）。

另外，作为避免半导体芯片受到损伤等的拾起装置，提案有以下的装置。晶片载置台具备：在顶部通过胶带来保持IC芯片的下表面的多个突起；形成于多个突起的谷部的吸引槽；真空装置，其通过连接管与该吸引槽连结，在吸引槽中产生吸引力，由此将胶带从IC芯片上剥离而吸附在突起的谷部（例如，参照下述专利文献4）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-103493号公报

专利文献2：日本特开平11-54594号公报

专利文献3：日本特开2010-123750号公报

专利文献4：日本特开平5-335405号公报