[发明专利]半导体器件的制造装置和半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201210182709.9 | 申请日: | 2012-06-05 |
公开(公告)号: | CN102832158A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 田中阳子 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 装置 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造装置,是从胶带上拾起通过切割而被切断的半导体芯片的半导体器件的制造装置,其特征在于,包括:
保持台,具有设置于保持所述半导体芯片的面的多个槽和与所述槽连结的至少一个通气孔;
第一槽,在所述槽之中,配置于与被保持在所述保持台上的所述半导体芯片的外周部对应的位置;
第二槽,在所述槽之中,具有比所述第一槽窄的宽度,并且配置于与被保持在所述保持台上的所述半导体芯片的中央部对应的位置;
顶点部,由所述槽的开口部侧的端部形成,与被保持在所述保持台上的所述半导体芯片点接触;
减压机构,在所述半导体芯片以其粘贴有所述胶带的一侧的面朝向所述保持台侧的方式被保持在所述顶点部后,经由所述通气孔对由所述槽和所述胶带围成的空间进行减压;和
吸引机构,在所述空间被所述减压机构减压后,进行吸引来拾起被保持在所述顶点部的所述半导体芯片。
2.一种半导体器件的制造装置,是从胶带上拾起通过切割而被切断的半导体芯片的半导体器件的制造装置,其特征在于,包括:
保持台,具有设置于对所述半导体芯片进行保持的一侧的面的多个槽和与所述槽连结的至少一个通气孔;
顶点部,由所述槽的开口部侧的端部形成,与被保持在所述保持台上的所述半导体芯片点接触;
减压机构,在所述半导体芯片以其粘贴有所述胶带的一侧的面朝向所述保持台侧的方式被保持在所述顶点部后,经由所述通气孔对由所述槽和所述胶带围成的空间进行减压;和
吸引机构,与被保持在所述顶点部的所述半导体芯片空开预先设定的间隔地配置,在所述空间被所述减压机构减压后,进行吸引来拾起被保持在所述顶点部的所述半导体芯片。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制造装置,其特征在于:
所述减压机构,使粘贴在所述半导体芯片上的所述胶带以沿着所述槽的内壁的方式变形。
4.如权利要求1~3中任意一项所述的半导体器件的制造装置,其特征在于:
所述减压机构对所述空间进行减压,直到所述半导体芯片与所述胶带的接触部分变成仅是与所述顶点部对应的部分。
5.如权利要求1~4中任意一项所述的半导体器件的制造装置,其特征在于:
还包括与所述保持台的侧面接触、包围所述保持台的外壁部,
所述外壁部的保持有所述半导体芯片的一侧的面,与所述保持台的保持所述半导体芯片一侧的面高度相同。
6.如权利要求1~5中任意一项所述的半导体器件的制造装置,其特征在于:
所述顶点部由相邻的所述槽的侧壁构成的圆锥状、四角锥状或四角柱状的突起部的顶点部构成。
7.如权利要求1~6中任意一项所述的半导体器件的制造装置,其特征在于:
所述半导体芯片的共有一个顶点的两边的尺寸比是0.75以上1.25以下。
8.如权利要求1~7中任意一项所述的半导体器件的制造装置,其特征在于:
所述通气孔在所述保持台的保持一个所述半导体芯片的区域中至少设置四处。
9.如权利要求1~8中任意一项所述的半导体器件的制造装置,其特征在于:
所述吸引机构,与被所述顶点部保持的所述半导体芯片空开0.05mm以上0.5mm以下的间隔地配置。
10.一种半导体器件的制造方法,是从胶带上拾起通过切割而被切断的半导体芯片的半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:
在由设置于保持台上的槽的开口部侧的端部形成、且与被保持在所述保持台上的所述半导体芯片点接触的顶点部,将所述半导体芯片以其粘贴有所述胶带一侧的面朝向所述保持台侧的方式保持的保持工序;
在所述保持工序后,对由所述槽和所述胶带围成的空间进行减压的减压工序,其中,所述槽由配置于与所述半导体芯片的外周部对应的位置的第一槽、和具有比所述第一槽窄的宽度且配置于所述保持台的与所述半导体芯片的中央部对应的位置的第二槽构成;和
在所述减压工序后,进行吸引来拾起被所述顶点部保持的所述半导体芯片的吸引工序。
11.一种半导体器件的制造方法,是从胶带上拾起通过切割而被切断的半导体芯片的半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:
在由设置于保持台上的槽的开口部侧的端部形成、且与被保持在所述保持台上的所述半导体芯片点接触的顶点部,将所述半导体芯片以其粘贴有所述胶带一侧的面朝向所述保持台侧的方式保持的保持工序;
在所述保持工序后,对由所述槽和所述胶带围成的空间进行减压的减压工序;和
在所述减压工序后,利用以与被所述顶点部保持的所述半导体芯片空开预先设定的间隔的方式而配置的吸引机构,进行吸引来拾起所述半导体芯片的吸引工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造