[发明专利]半导体器件及制造方法

权利要求书

1.一种方法，包含：

形成静态随机存取存储器单元，包含：

形成第一对P沟道场效应晶体管，具有连接到电压接点的共同源极和连接到另一个PFET的漏极的栅极；

形成大小小于所述第一对PFET的一对N沟道场效应晶体管，具有连接到所述第一对PFET的个别PFET的所述漏极的漏极、连接到Vss接点的共同源极、和连接到所述第一对PFET的相对的PFET的所述漏极的栅极；

形成大小大于所述NFET且约为所述第一对PFET的一半的第二对PFET，所述第二对PFET的各者具有分别耦合到链结所述对的NFET的所述NFET的所述个别漏极到所述第一对PFET的所述PFET的所述漏极的连结的漏极；

形成互补位线，所述互补位线的各者分别连接到所述第二对PFET的源极；和

形成连接到所述第二对PFET的各者的栅极的字线。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

连接电压来源到所述电压接点；

连接所述接地接点到接电电位；

通电所述字线到逻辑低水平；和

通电所述互补位线的一者到逻辑一水平且另一个位线到逻辑低水平来在所述静态随机存取存储器单元中存储逻辑一。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

连接电压来源到所述电压接点；

连接所述接地接点到接电电位；

通电所述字线到逻辑低水平；和

通电所述互补位线的一者到逻辑一水平且另一个位线到逻辑低水平来在所述静态随机存取存储器单元中存储逻辑零。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

连接电压来源到所述电压接点；

连接所述接地接点到接电电位；

放电所述互补位线到逻辑低水平；

通电所述字线到逻辑低水平；和

检测在所述互补位线中的电压分裂来读取存储在所述静态随机存取存储器单元中的逻辑值。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包含在一行中形成多个其它的静态随机存取存储器单元，各耦合到所述字线。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包含形成多行的静态随机存取存储器单元，形成多列的单元，每一行具有个别的字线，且所述静态随机存取存储器单元的每一列耦合到个别对的互补位线。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

形成大小约与所述第二对PFET相同的第三对PFET，所述第三对PFET的各者具有分别耦合到链结所述对的NFET的所述NFET的所述个别漏极到所述第一对PFET的所述PFET的所述漏极的连结的漏极；

形成第二互补位线，所述第二互补位线的各者个别连接到所述第三对PFET的源极；和

形成连接到所述第三对PFET的各者的栅极的第二字线。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包含在一行中形成多个其它的静态随机存取存储器单元，所述行的各静态随机存取存储器单元具有耦合到所述字线的所述第二对PFET和耦合到所述第二字线的所述第三对PFET。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包含形成多行的静态随机存取存储器单元，形成多列的单元，每一行具有个别的字线和第二字线，且所述静态随机存取存储器单元的每一列耦合到个别对的互补位线和第二互补位线。