[发明专利]半导体器件和使用引线框本体形成开口的方法有效

专利信息
申请号: 201210177983.7 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN102810507B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: H.基;N.仇;H.辛 申请(专利权)人: 新科金朋有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/495;H01L23/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 马永利,李浩
地址: 新加坡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 使用 引线 本体 形成 开口 方法
【权利要求书】:

1.一种制作半导体器件的方法,包括:

提供载体,其具有从载体延伸的多个本体;

将第一半导体管芯安装到本体之间的载体;

将密封剂沉积在第一半导体管芯和载体上方以及载体的本体周围;

移除载体的本体上方的密封剂的一部分,从而形成露出本体的密封剂中的第一开口;

将互连结构形成于密封剂上方并且延伸到第一开口中到达载体的本体;以及

移除载体和本体,以形成与先前由本体占据的空间对应的密封剂中的第二开口从而露出互连结构。

2.如权利要求1所述的方法,进一步包括:

提供第二半导体管芯,该第二半导体管芯具有在第二半导体管芯的表面上方形成的多个凸块;以及

在第一半导体管芯上方安装第二半导体管芯,凸块延伸到密封剂的第二开口中从而电连接到互连结构。

3.如权利要求1所述的方法,进一步包括形成穿过第一半导体管芯的多个导电通孔。

4.如权利要求1所述的方法,进一步包括:

提供第二半导体管芯;

在第一半导体管芯上方安装第二半导体管芯;

提供第三半导体管芯,该第三半导体管芯具有在第二半导体管芯的表面上方形成的多个凸块;以及

在第一和第二半导体管芯上方安装第三半导体管芯,凸块延伸到密封剂的第二开口中从而电连接到互连结构。

5.如权利要求1所述的方法,进一步包括在第一半导体管芯上方形成散热器或屏蔽层。

6.一种制作半导体器件的方法,包括:

提供载体,该载体具有从载体延伸的多个本体;

将第一半导体管芯安装到本体之间的载体;

将密封剂沉积在第一半导体管芯和载体上方以及载体的本体周围;

将互连结构形成于密封剂上方并且延伸到载体的本体;以及

移除载体和本体,以形成与先前由本体占据的空间对应的密封剂中的第一开口从而露出互连结构。

7.如权利要求6所述的方法,进一步包括移除载体的本体上方的密封剂的一部分,从而形成露出载体的本体的密封剂中的第二开口。

8.如权利要求6所述的方法,进一步包括:

提供第二半导体管芯,该第二半导体管芯具有在第二半导体管芯的表面上方形成的多个凸块;以及

在第一半导体管芯上方安装第二半导体管芯,凸块延伸到密封剂的第一开口中从而电连接到互连结构。

9.如权利要求6所述的方法,进一步包括形成穿过第一半导体管芯的多个导电通孔。

10.如权利要求6所述的方法,进一步包括:

提供第二半导体管芯;

在第一半导体管芯上方安装第二半导体管芯;

提供第三半导体管芯,该第三半导体管芯具有在第二半导体管芯的表面上方形成的多个凸块;以及

在第一和第二半导体管芯上方安装第三半导体管芯,凸块延伸到密封剂的第一开口中从而电连接到互连结构。

11.如权利要求6所述的方法,进一步包括在第一半导体管芯上方形成多个凸块。

12.一种半导体器件,包括:

载体,其具有从载体延伸的多个本体;

第一半导体管芯,其安装到本体之间的载体;

密封剂,其沉积在第一半导体管芯和载体上方以及载体的本体周围;以及

互连结构,其形成在密封剂上方并且延伸到载体的本体,其中载体和本体被移除以形成与先前由本体占据的空间对应的密封剂中的开口从而露出互连结构。

13.如权利要求12所述的半导体器件,进一步包括第二半导体管芯,该第二半导体管芯具有在第二半导体管芯的表面上方形成的多个凸块,第二半导体管芯安装在第一半导体管芯上方,凸块延伸到密封剂的开口中从而电连接到互连结构。

14.如权利要求12所述的半导体器件,进一步包括形成穿过第一半导体管芯的多个导电通孔。

15.如权利要求12所述的半导体器件,进一步包括:

第二半导体管芯,其安装在第一半导体管芯上方;以及

第三半导体管芯,其具有在第二半导体管芯的表面上方形成的多个凸块,第三半导体管芯安装在第一和第二半导体管芯上方,凸块延伸到密封剂的开口中从而电连接到互连结构。

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