[发明专利]低轨等离子体环境高压太阳电池阵弧光放电抑制方法有效
申请号: | 201210177257.5 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN103456831A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 杨华星;王治易;陈建祥;路火平;董毅;蒋松 | 申请(专利权)人: | 上海宇航系统工程研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 金家山 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 环境 高压 太阳电池 弧光 放电 抑制 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种低轨等离子体环境高压太阳电池阵弧光放电抑制方法,属于航天器电源系统太阳电池阵技术领域。
背景技术
我国载人航天工程的主要空间飞行器工作在300~500km高度的低地球轨道上,该高度区空间等离子体主要是电离层等离子体。300~500km轨道的环境比较复杂,等离子体在此区间中的密度有个峰值。航天器的供电来源主要是太阳电池阵,随着航天器对长寿命的需要,太阳电池阵的功率输出变得越来越大,为了降低长距离电传输中的损耗,减少重量,需要采用高效率结构轻的新型高压太阳电池阵。由于电子速度比离子大很多,飞行器结构会带负电位,到达飞行器的电子随机电流比离子电流大很多,电池阵的大部分面积和连接的传导结构会聚集离子,导致电池阵和飞行器结构上的净电流为零。根据空间环境的特点,电池阵面上聚集的大部分电流为负偏压,达到100V及以上的高压太阳电池阵,其在低轨道等离子体环境中会产生弧光放电。一次放电会造成功率损失和电磁干扰,二次弧光放电会造成较大的功率损失和电磁干扰,损坏太阳电池电路甚至造成永久短路。国内已有的技术是针对高轨高压刚性太阳电池阵静电防护。由于高轨环境与低轨环境的不同,太阳电池阵结构的不同,所以该项技术并不适用于低轨高压太阳电池阵。本发明针对低轨高压太阳电池阵,解决了低轨等离子体环境太阳电池阵弧光放电抑制问题。
目前没有发现与同本发明类似技术的说明或报道,也尚未收集到国内外类似的资料。
发明内容
为克服现有技术不足,本发明所要解决的问题是实现高压太阳电池阵低轨等离子体环境弧光放电抑制,并通过放电试验验证抑制方法的有效性,提高高压太阳电池阵在低轨等离子体环境中的适应性。
为解决上述技术问题,本发明针对低轨高压太阳电池阵特点,提出了低轨等离子体环境弧光放电抑制和验证方法:采用太阳电池电路裸露导体涂覆RTV硅胶的方法,或将电路预埋在基板内,隔离导体与等离子体的接触,提高放电阈值,减少弧光放电的发生;优化布片设计,使电池电路最大串间电压小于55V,小于二次弧光放电阈值;优化电池电路串间距离设计,提高二次弧光放电阈值,设计串间距离2mm;单串电池模块电路输出电流小于0.8A并加隔离二极管进行隔离,以此减小二次弧光放电的维持电流,提高二次弧光放电的电压阈值;满足玻璃盖片边缘超过电池边缘0.1mm,完全覆盖太阳电池,阻断电池与等离子体的接触,减少弧光放电的发生;采用真空罐模拟低轨真空环境,采用ECR型等离子体源产生等离子体,模拟低轨等离子体环境,将太阳电池阵小试件放在真空罐中,进行一次弧光放电和二次弧光放电模拟试验,得到高压太阳电池阵一次弧光放电和二次弧光放电电压电流阈值,完成高压太阳电池阵低轨等离子体环境放电的验证。
采用本发明的弧光放电抑制方法,可有效解决高压太阳电池阵低轨等离子体环境弧光放电抑制和验证问题,在低轨高压太阳电池阵设计中采用本发明,研制出可在轨飞行的半刚性太阳电池阵和通过了试验验证的放电阈值较高的柔性太阳电池阵,可以提高高压太阳电池阵在低轨等离子体环境中的适应性,达到减少其在轨一次弧光放电,杜绝在轨二次弧光放电的抑制效果。
附图说明
图1 半刚性太阳电池板示意图
图2 柔性太阳电池板示意图
图3 半刚性电池板试件示意图
图4 柔性电池板试件示意图
图5 一次放电试验配置图
图6 二次弧光放电试验配置图
图7 一次放电路径示意图
图8 二次弧光放电路径示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
如图1所示,采用太阳电池电路裸露导体涂覆RTV硅胶1的方法,隔离导体与等离子体的接触。半刚性高压太阳电池板与刚性太阳电池板有较大不同,半刚性太阳电池阵的电池模块固定在网格面板上,太阳电池片7的两面粘贴几何尺寸略大的正面玻璃盖片3和背面玻璃盖片4,以将暴露在等离子体环境中的带电部位(片间互连片5——太阳电池片7边缘)结合处进行完全的隔离;电池模块由6个或4个电池单元(2×3或2×2阵列)组成;从电池模块正面引到背面的汇流条6作为电传输,表面涂覆RTV硅胶1,实现裸露的导体与等离子环境的隔离。控制相邻电池串间间隙为2mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的