[发明专利]低轨等离子体环境高压太阳电池阵弧光放电抑制方法有效

专利信息
申请号: 201210177257.5 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN103456831A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 杨华星;王治易;陈建祥;路火平;董毅;蒋松 申请(专利权)人: 上海宇航系统工程研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海航天局专利中心 31107 代理人: 金家山
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 环境 高压 太阳电池 弧光 放电 抑制 方法
【权利要求书】:

1.一种适用于低轨等离子体环境高压太阳电池阵弧光放电抑制方法,其特征在于:

采用太阳电池电路裸露导体涂覆RTV硅胶的方法,或将电路预埋在基板内,隔离导体与等离子体的接触,提高放电阈值,减少弧光放电的发生;

优化布片设计,使电池电路最大串间电压小于55V,小于二次弧光放电阈值;

优化电池电路串间距离设计,提高二次弧光放电阈值,设计串间距离2mm;

单串电池模块电路输出电流小于0.8A并加隔离二极管进行隔离,以此减小二次弧光放电的维持电流,提高二次弧光放电的电压阈值;

满足玻璃盖片边缘超过电池边缘0.1mm,完全覆盖太阳电池,阻断电池与等离子体的接触,减少弧光放电的发生;

采用真空罐模拟低轨真空环境,采用ECR型等离子体源产生等离子体,模拟低轨等离子体环境,将太阳电池阵小试件放在真空罐中,进行一次弧光放电和二次弧光放电模拟试验,得到高压太阳电池阵一次弧光放电和二次弧光放电电压电流阈值,完成高压太阳电池阵低轨等离子体环境放电的验证。

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