[发明专利]低轨等离子体环境高压太阳电池阵弧光放电抑制方法有效
申请号: | 201210177257.5 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN103456831A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 杨华星;王治易;陈建祥;路火平;董毅;蒋松 | 申请(专利权)人: | 上海宇航系统工程研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 金家山 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 环境 高压 太阳电池 弧光 放电 抑制 方法 | ||
1.一种适用于低轨等离子体环境高压太阳电池阵弧光放电抑制方法,其特征在于:
采用太阳电池电路裸露导体涂覆RTV硅胶的方法,或将电路预埋在基板内,隔离导体与等离子体的接触,提高放电阈值,减少弧光放电的发生;
优化布片设计,使电池电路最大串间电压小于55V,小于二次弧光放电阈值;
优化电池电路串间距离设计,提高二次弧光放电阈值,设计串间距离2mm;
单串电池模块电路输出电流小于0.8A并加隔离二极管进行隔离,以此减小二次弧光放电的维持电流,提高二次弧光放电的电压阈值;
满足玻璃盖片边缘超过电池边缘0.1mm,完全覆盖太阳电池,阻断电池与等离子体的接触,减少弧光放电的发生;
采用真空罐模拟低轨真空环境,采用ECR型等离子体源产生等离子体,模拟低轨等离子体环境,将太阳电池阵小试件放在真空罐中,进行一次弧光放电和二次弧光放电模拟试验,得到高压太阳电池阵一次弧光放电和二次弧光放电电压电流阈值,完成高压太阳电池阵低轨等离子体环境放电的验证。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的