[发明专利]在常温下快速测试集成电路的过温测试保护电路无效
| 申请号: | 201210176293.X | 申请日: | 2012-05-31 | 
| 公开(公告)号: | CN102707223A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 | 
| 发明(设计)人: | 谭在超;朱勤为 | 申请(专利权)人: | 无锡硅动力微电子股份有限公司 | 
| 主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 | 
| 代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 | 
| 地址: | 214028 *** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 常温 快速 测试 集成电路 保护 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种过温测试保护电路,尤其是一种在常温下快速测试集成电路的过温测试保护电路,属于集成电路的技术领域。
背景技术
在开关电源集成电路中,内部集成的功率器件在工作时会产生热量,从而导致集成电路温度上升,为了防止集成电路在正常工作时因为温度过高而损坏,会在集成电路内部设计过温保护电路。过温保护电路的功能是集成电路温度上升到预先设计的某一温度时关断功率器件,使集成电路不再继续产生热量。
在传统集成电路测试中,为了验证过温保护电路能否正常工作,需要将集成电路放在高温烘箱中模拟高温环境,逐渐升高烘箱温度,观察集成电路是否在高温下进入过温保护模式。这种测试方法复杂,测试时间长,难以对每颗集成电路的过温保护功能进行测试。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种在常温下快速测试集成电路的过温测试保护电路,其结构简单紧凑,降低测试成本,缩短测试时间,适应范围广,安全可靠。
按照本发明提供的技术方案,所述在常温下快速测试集成电路的过温测试保护电路,包括三极管,所述三极管的发射极端接地,三极管的基极端与发射极端间通过具有正温度系数的电阻相连;三极管的基极端、集电极端分别通过第二电流源、第一电流源与供电电压源相连,三极管的集电极端能输出状态信号;第二电流源输出的第一电流通过电阻在三极管的基极端得到第一电压,所述第一电压在预设过温保护温度值时能使得三极管导通,以使得状态信号为低电平;
所述三极管的基极端还与用于接收外部测试控制信号及接收开关电源集成电路的过温测试信号的过温测试电流输入调节电路相连,所述过温测试电流输入调节电路与供电电压源相连;
过温测试电流输入调节电路能调节供电电压源向三极管的基极端输入所需的第二电流,第一电流及第二电流通过电阻在三极管的基极端得到第二电压;
当过温测试电流输入调节电路仅接收过温测试信号时,第二电压在常温下低于三极管的导通电压,状态信号为高电平;
当过温测试电流输入调节电路同时接收过温测试信号与外部测试控制信号时,第二电压在常温下使得三极管导通,状态信号为低电平。
所述过温测试电流输入调节电路包括第一MOS开关管及第二MOS开关管;第一MOS开关管的栅极端与外部测试控制信号相连,第一MOS开关管的漏极端通过第四电流源与供电电压源相连,第二MOS开关管的栅极端与过温测试信号相连,第二MOS开关管的源极端与三极管的基极端相连,第二MOS开关管的漏极端与第一MOS开关管的源极端相连,并通过第三电流源与供电电压源相连。
所述第一电流源、第二电流源、第三电流源及第四电流源均为镜像电流源。所述第一MOS开关管及第二MOS开关管均为NMOS管。
所述状态信号通过与门电路与第三MOS开关管的栅极端相连,与门电路的输入端还与PWM信号发生电路的相连;第三MOS开关管的源极端接地。
本发明的优点:三极管的基极端还与用于接收外部测试控制信号及接收开关电源集成电路的过温测试信号的过温测试电流输入调节电路相连,所述过温测试电流输入调节电路与供电电压源相连;利用过温测试电流输入调节电路调节输入的第二电流,第二电流与第一电流得到第二电压,通过第二电压与三极管的导通压降关系判断整个电路是否能过温保护,同时,通过第二电流来判断过温保护温度的范围,结构简单紧凑,降低测试成本,缩短测试时间,适应范围广,安全可靠。
附图说明
图1为本发明的电路原理图。
图2为本发明三极管开启电压VBE负温度系数和电压VB的正温度系数示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1~图2所示:本发明包括供电电压源101、第一电流源102、第二电流源103、第三电流源104、第四电流源105、第一MOS开关管106、第二MOS开关管107、电阻108、三极管109、状态信号110、过温测试信号111、外部测试控制信号112、地113、PWM信号发生电路114、第三MOS开关管115、漏端116及与门电路117。
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