[发明专利]量子点防伪标识方法

权利要求书

1.一种量子点防伪标识方法，其包括以下步骤：

量子点油墨的制备：将不同结构和/或尺寸的量子点分散于有机溶剂中，加入透明油墨，混合均匀后制得能发射不同波长的量子点油墨；

防伪标识的载入：将上述制得的量子点油墨载入到待标记目标产品上，形成防伪标识，使所述防伪标识的各组成部分中至少部分区域含有一种以上的量子点；

防伪标识的检测及转换：通过光谱检测仪器读取各个组成部分中各个量子点的中心波长及各个量子点的发光强度的比值；将各量子点的中心波长及各量子点的发光强度的比值通过编码规则进行转换，得到一组特定的标识信息，并利用该信息来判断标识。

2.根据权利要求1所述的量子点防伪标识方法，其特征在于：所述的量子点为元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、或IV族半导体化合物制得的量子点或其对应的核壳结构量子点；所述II-VI族半导体化合物为CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，CdSeS，CdSeTe，CdSTe，ZnSeS，ZnSeTe，ZnSTe，HgSeS，HgSeTe，HgSTe，CdZnS，CdZnSe，CdZnTe，CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSe CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe或HgZnSTe；所述III-V族半导体化合物为GaN，GaP，GaAs，GaSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，InN，InP，InAs，InSb，GaNP，GaNAs，GaNSb，GaPAs，GaPSb，AlNP，AlNAs，AlNSb，AlPAs，AlPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaAlNP GaAlNAs，GaAlNSb，GaAlPAs，GaAlPSb，GaInNP，GaInNAs，GaInNSb，GaInPAs，GaInPSb，InAlNP，InAlNAs，InAlNSb，InAlPAs或InAlPSb；所述IV-VI族半导体化合物为SnS，SnSe，SnTe，PbS，PbSe，PbTe，SnSeS，SnSeTe，SnSTe，PbSeS，PbSeTe，PbSTe，SnPbS，SnPbSe，SnPbTe SnPbSSe，SnPbSeTe或SnPbSTe；所述IV族半导体化合物为Si，Ge，SiC或SiGe；所述核壳结构量子点为以所述的II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半导体化合物为核，以CdSe，CdS，ZnSe，ZnS，CdO，ZnO，SiO₂中的一种或多种为壳的核壳结构量子点。

3.根据权利要求1所述的量子点防伪标识方法，其特征在于，所述的有机溶剂为甲苯、氯仿和正己烷。

4.根据权利要求1所述的量子点防伪标识方法，其特征在于：所述的透明油墨为未添加颜料的油墨产品，所述未添加颜料的油墨产品为环氧丙烯酸酯类油墨、聚氨酯丙烯酸酯类油墨、聚酯丙烯酸酯类油墨、聚醚丙烯酸酯类油墨、聚丙烯酸丙酯和不饱和聚酯类油墨中的一种或多种。

5.根据权利要求1-4任一项所述的量子点防伪标识方法，其特征在于：所述量子点油墨通过印刷、喷绘、涂布浸渍或转移的方式载入到所述目标产品。

6.一种量子点防伪标识方法，其包括以下步骤：

量子点防伪载体的制备：将不同结构和/或尺寸的量子点与高分子化合物混合，制成能发射不同波长的量子点防伪载体；或将高分子树脂制成载体后浸渍到含有不同结构和/或尺寸的量子点溶液中，干燥后制得能发射不同波长的量子点防伪载体；

防伪标识的制作与载入：以上述量子点防伪载体制作防伪标识，然后将防伪标识载入待标记防伪的目标产品上；

防伪标识的检测及转换：通过光谱检测仪器读取各个组成部分中各个量子点的中心波长及各个量子点的发光强度的比值；将各量子点的中心波长及各量子点的发光强度的比值通过编码规则进行转换，得到一组特定的标识信息，并利用该信息来判断标识。