[发明专利]高折射率散射层的制备方法及高出光效率的OLED制备方法有效
申请号: | 201210175471.7 | 申请日: | 2012-05-31 |
公开(公告)号: | CN102709489A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 张国辉;董艳波;刘永祥;段炼 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张建纲 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 折射率 散射 制备 方法 高出光 效率 oled | ||
1.一种高折射率散射层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、制备研磨分散液,所述研磨分散液包括:
高折射率散射颗粒,其质量百分比为:10%-60%;
分散剂,其质量占所述高折射率散射颗粒的1%-60%;
防沉剂,其质量百分比为:0-5%;
光刻胶,其质量百分比为:0-60%;
有机溶剂,其质量百分比为:20%-89.9%;
S2、采用过滤孔孔径在0.8um-1.2um的滤纸压滤所述步骤S1制备的研磨分散液,得到制膜溶液;
S3、所述步骤S2制备的所述制膜溶液经光刻旋涂制备得到高折射率散射层。
2.根据权利要求1所述的高折射率散射层的制备方法,其特征在于:
所述高折射率散射颗粒选自TiO2、ZrO2、SiO2、SiO、TiO中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的高折射率散射层的制备方法,其特征在于:
所述分散剂采用钛白分散剂。
4.根据权利要求1-3任一所述的高折射率散射层的制备方法,其特征在于:
所述防沉剂采用钛白防沉剂。
5.根据权利要求1-4任一所述的高折射率散射层的制备方法,其特征在于:
所述步骤S2所述滤纸孔径为0.8um。
6.根据权利要求1-5任一所述的高折射率散射层的制备方法,其特征在于:
所述散射层的厚度为0.3um-3um。
7.一种利用权利要求1-6任一所述的高折射率散射层的制备方法制备得到的高折射率散射层。
8.一种高出光效率的OLED制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
Ⅰ.按照权利要求1-6任一所述的制备高折射率散射层的制备方法在基板(1)上制备高折射率散射层(2);
Ⅱ.在所述高折射率散射层(2)上制备第一电极(3);
Ⅲ.在所述第一电极(3)上制备有机功能层(4);
Ⅳ.在所述有机功能层(4)上制备第二电极(5);
Ⅴ.封装。
9.根据权利要求8所述的高出光效率的OLED制备方法,其特征在于:
所述步骤Ⅰ之后还包括如下步骤
:刻蚀去掉封装时与封装胶(6)对应区域的高折射率散射层。
10.根据权利要去8所述的高出光效率的OLED制备方法,其特征在于:
所述步骤中,刻蚀去掉封装时与封装胶(6)对应区域之外的所有的高折射率散射层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择