[发明专利]在掩模制备期间修改掺杂区域设计布局以调节器件性能的方法和系统有效
| 申请号： | 201210175273.0 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103094176A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 林渼璇;王琳松;林志勋;赵志刚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 期间 修改 掺杂 区域 设计 布局 调节 器件 性能 方法 系统 | ||
1.一种方法，包括：
接收集成电路设计布局，所述集成电路设计布局被设计为限定集成电路，其中，所述集成电路设计布局包括掺杂部件布局；
标识所述集成电路中用于器件性能修改的区域；以及
在掩模制备工艺期间修改所述掺杂部件布局中对应于所述集成电路的标识区域的部分，从而提供修改的掺杂部件布局。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述掩模制备工艺的光学邻近校正工艺期间实施修改所述掺杂部件布局中对应于所述集成电路的标识区域的部分。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述掩模制备工艺期间标识所述集成电路中用于器件性能修改的区域。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，标识所述集成电路中用于器件性能修改的区域包括：标识用于减小泄露电流的晶体管。
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述掺杂部件布局的所述部分限定用于形成所述集成电路的掺杂区域的抗蚀剂层的临界尺寸；以及
修改所述掺杂部件布局中对应于所述集成电路的标识区域的部分包括修改所述抗蚀剂层的所述临界尺寸。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，修改所述抗蚀剂层的所述临界尺寸包括减小所述临界尺寸。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：根据所述修改的掺杂部件布局来制造掩模。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：使用根据所述修改的掺杂部件布局制造的掩模在所述集成电路的衬底中形成掺杂区域。
9.一种方法，包括：
接收掺杂部件设计布局，所述掺杂部件设计布局限定用于形成集成电路器件的掺杂区域的抗蚀剂层的临界尺寸；
在掩模制备工艺期间修改所述掺杂部件设计布局以调节所述集成电路器件的性能，其中，修改包括修改所述临界尺寸；以及
根据修改的掺杂部件设计布局制造掩模。
10.一种用于制造集成电路器件的系统，所述系统包括：
掩模制造实体，可操作地用于制造掩模，其中，所述掩模制造实体包括：计算机可读介质，存储用于通过至少一个计算机处理器执行的多个指令，其中，指令用于：
接收掺杂部件设计布局，所述掺杂部件设计布局限定用于形成集成电路器件的掺杂区域的抗蚀剂层的临界尺寸，
修改所述掺杂部件设计布局以调节所述集成电路器件的性能，其中，修改包括修改所述临界尺寸，以及
根据修改的掺杂部件设计布局制造掩模。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
