[发明专利]用于生成最优半导体部件布局的方法和系统在审
| 申请号： | 201210175271.1 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103218468A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 陈建宏;彭永州;陈重辉;杨志明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 生成 最优 半导体 部件 布局 方法 系统 | ||
1.一种符合一组设计规则的生成半导体部件最优布局的方法，所述方法包括：
对于包括一个或多个所述半导体部件的单位单元，生成多个配置，其中，所述多个配置中的每一个都满足所述设计规则中的一些但不是全部；
对于每个所述配置，检查布局是否满足剩余的设计规则，其中，所述布局为所述单位单元的重复图案；以及
在满足所有所述设计规则的配置中，选择提供特性的最优值的配置，用于生成半导体部件的最优布局。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，不由所述设计规则来直接定义所述特性。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述特性与所述半导体部件的电特性相关。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
复制具有所选配置的单位单元，以获得所述最优布局。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，
在位于所述布局中的多个位置处的检查窗口内执行所述检查。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，
一些所述设计规则限定关于(i)每个半导体部件的尺寸和(ii)相邻半导体部件之间的间隔的限制，以及
剩余所述设计规则限定(a)检查窗口和(b)关于所述检查窗口内的所述半导体部件的不同层的密度的限制。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
基于所选配置生成所述半导体部件的布局；以及
制造一半导体器件，所述半导体器件具有在所生成的布局中配置的所述半导体部件的区域。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体部件为金属氧化物半导体(MOS)电容器，以及所述特性的最优值为所述MOS电容器的最大电容效率。
9.一种计算机系统，包括：
输入单元，用于接收用于半导体器件区域中的金属氧化物半导体(MOS)电容器的一组设计规则；
处理器，被配置为：
对于包括多个所述MOS电容器的单位单元，生成多个配置，其中，所述多个配置中的每一个都满足所述设计规则中的一些但不是全部；
对于每个所述配置，检查布局是否满足剩余的设计规则，其中，所述布局为所述区域内的所述单位单元的重复图案；以及
在满足所有所述设计规则的配置中，选择提供最大电容效率的配置；以及
输出单元，用于输出所选的配置。
10.一种非短暂计算机可读介质，其中包含用于通过计算机执行时使所述计算机执行一种符合一组设计规则的生成半导体部件最优布局的方法的指令，所述方法包括：
对于包括一个或多个所述半导体部件的单位单元，生成多个配置，其中，所述多个配置中的每一个都满足所述设计规则中的一些但不是全部；
对于每个所述配置，检查布局是否满足剩余的设计规则，其中，所述布局为所述单位单元的重复图案；以及
在满足所有所述设计规则的配置中，选择提供特性的最优值的配置，用于生成半导体部件的最优布局。
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