[发明专利]一种低压LDMOS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210174574.1 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456631A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;刘冬华;钱文生;胡君;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 ldmos 器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低压LDMOS器件的制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：
第1步，在轻掺杂的P型衬底硅片上进行P阱注入，然后生长栅氧化层；
第2步，淀积多晶硅；
第3步，多晶硅及栅氧化层刻蚀；
第4步，进行湿法刻蚀，使栅氧化层沟道方向两端呈现空隙；
第5步，多晶硅再氧化，使沟道两端的空隙生成增厚的栅氧化层；
第6步，多晶硅栅极左右两侧进行轻掺杂源漏注入，且右侧轻掺杂注入能量高于左侧；
第7步，生长栅极侧墙；
第8步，进行源漏注入，器件成型。
2.如权利要求1所述的一种低压LDMOS器件的制造方法，其特征在于：通过第4步中的湿法刻蚀腐蚀程度来控制栅氧沟道方向两端的空隙大小，以及多晶硅氧化的厚度来调整。
3.如权利要求1所述的一种低压LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第5步中多晶硅再氧化会填充满第4步湿法刻蚀后形成的栅氧化层空隙，形成两头厚中间薄的栅氧形状。
4.如权利要求1所述的一种低压LDMOS器件的制造方法，其特征在于：通过所述第5步中沟道两端增厚的栅氧化层来提高器件的阈值电压，且器件的阈值电压能通过控制栅氧化层的厚度来调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
