[发明专利]应用于面板的导电结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种导电结构及制造方法，且特别是涉及一种应用于面板的导电结构及其制造方法。

背景技术

在现今的液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）中，晶体管阵列基板（transistor array substrate）的多条导电线，例如扫描线（scan line）与数据线（data line），通常都是采用溅镀（sputtering）、微影（photolithography）与蚀刻（etching）来形成。详细而言，在利用溅镀形成金属层之后，会在此金属层上形成一层光阻层（photoresist layer），其中光阻层会局部暴露金属层。之后，以此光阻层作为屏蔽，蚀刻金属层，以形成这些导电线。

图1是经过蚀刻后所形成的一种已知晶体管阵列基板的导电线的剖面示意图。请参阅图1，在基板100上的金属层（未示出）经过蚀刻而形成导电线110之后，导电线110的侧面有时候会形成倾斜侧面111，其中倾斜侧面111与基板100板面101之间的夹角A1会大于90度。

详细而言，导电线110具有一顶面112与一底面114，其中顶面112相对于底面114，而底面114接触基板100板面101。从图1来看，顶面112的面积大于底面114的面积，而导电线110的宽度W1实质上会从顶面112朝向底面114渐缩，从而形成倾斜侧面111。

然而，如果后续流程需要进行溅镀等真空沉积（vacuum deposition）的话，倾斜侧面111会不利于真空沉积。详细而言，位于倾斜侧面111处的部分导电线110会遮盖板面101，以至于位于倾斜侧面111下方的板面101很难经由沉积而形成膜层。因此，在进行完真空沉积之后，倾斜侧面111与板面101之间可能会形成空洞（cavity）而降低导电线110的结构强度，造成导电线110发生断裂的可能性。

发明内容

本发明提供一种应用于面板的导电结构，其在进行真空沉积之后可以减少上述空洞形成的机率。

本发明另提供一种应用于面板的导电结构的制造方法，其能制造上述导电结构。

本发明一实施例提出一种应用于面板的导电结构，其形成在一板材的一上表面上，并且包括一第一金属层、一氮化物层以及一第二金属层。第一金属层位于上表面上，并具有一第一侧面以及一相连第一侧面的底面，其中第一金属层的成分含有钼，而底面接触上表面。氮化物层位于第一金属层上，并具有一第二侧面，其中氮化物层的成分含有钼。第二金属层位于氮化物层上，并具有一第三侧面，其中第二侧面邻接第一侧面与第三侧面，以形成一斜面，而斜面与底面之间的夹角介于20度至75度之间。

本发明另一实施例还提出一种应用于面板的导电结构的制造方法。在此导电结构的制造方法中，首先，进行一第一真空沉积，以在一板材的一上表面上形成一第一金属层，其中第一金属层的成分含有钼，而第一金属层具有一接触上表面的底面。接着，在第一金属层上形成一氮化物层，其中氮化物层的成分含有原子百分比在55以上的钼。接着，在氮化物层上形成一第二金属层。接着，图案化第一金属层、氮化物层与第二金属层，以局部暴露上表面，并形成一斜面，其中斜面与底面之间的夹角介于20度至75度之间。

基于上述，利用第一金属层与氧化物层，可以在板材上形成具有斜面的导电结构。由于斜面与导电结构的底面之间的夹角介于20度至75度之间，因此位于斜面处的部分导电结构不会遮盖板材。如此，在进行后续真空沉积的过程中，沉积物能覆盖斜面，以减少在斜面与板材之间形成空洞的机率。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅是用来说明本发明，而非对本发明的权利要求范围作任何的限制。

附图说明

图1是经过蚀刻后所形成的一种已知晶体管阵列基板的导电线的剖面示意图。

图2是本发明一实施例的导电结构所应用的面板的剖面示意图。

图3是本发明另一实施例的应用于面板的导电结构的剖面示意图。

图4A至图4E是图3中的导电结构的制造方法的流程剖面示意图。

图5A至图5B是本发明另一实施例中氮化物层的形成流程的剖面示意图。

【主要元件符号说明】

30板材

32、212、222上表面

40光阻图案

100、210基板

101板面

110导电线

111倾斜侧面

112、322顶面