[发明专利]应用于面板的导电结构及其制造方法

权利要求书

1.一种应用于面板的导电结构，形成在板材的上表面上，其特征在于，所述导电结构包括：

第一金属层，所述第一金属层位于所述上表面上，并具有第一侧面以及与所述第一侧面相连的底面，其中所述第一金属层的成分含有钼，而所述底面与所述上表面相接触；

氮化物层，所述氮化物层位于所述第一金属层上，并具有第二侧面，其中所述氮化物层的成分含有钼；以及

第二金属层，所述第二金属层位于所述氮化物层上，并具有第三侧面，其中所述第二侧面与所述第一侧面及所述第三侧面邻接以形成斜面，而所述斜面与所述底面之间的夹角介于20度至75度之间。

2.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述第一金属层的厚度在14纳米以内。

3.根据权利要求2所述的导电结构，其特征在于，所述第一金属层的厚度在8纳米以内。

4.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述氮化物层的厚度在40纳米以内。

5.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述氮化物层中的钼的原子百分比介于55%至98.8%之间。

6.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述氮化物层中的钼的原子百分比介于65%至98.5%之间。

7.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述第二金属层为铜金属层。

8.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述板材为玻璃基板。

9.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述板材包括：

基板；以及

绝缘层，所述绝缘层位于所述基板上，并具有所述上表面。

10.一种应用于面板的导电结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

进行第一真空沉积，以在板材的上表面上形成第一金属层，其中所述第一金属层的成分含有钼，而所述第一金属层具有与所述上表面相接触的底面；

在所述第一金属层上形成氮化物层，其中所述氮化物层的成分含有钼；

在所述氮化物层上形成第二金属层；以及

对所述第一金属层、所述氮化物层与所述第二金属层进行图案化处理以局部暴露所述上表面，并形成斜面，其中所述斜面与所述底面之间的夹角介于20度至75度之间。

11.根据权利要求10所述的导电结构的制造方法，其特征在于，形成所述氮化物层的方法是进行第二真空沉积。

12.根据权利要求11所述的导电结构的制造方法，其特征在于，所述第二真空沉积采用的溅镀靶材为氮化钼靶或氮化钼合金靶。

13.根据权利要求11所述的导电结构的制造方法，其特征在于，所述第二真空沉积采用的溅镀靶材为钼金属靶或钼合金靶。

14.根据权利要求13所述的导电结构的制造方法，其特征在于，在进行所述第二真空沉积的期间，通入氮气至所述板材所处的工艺腔室内。

15.根据权利要求10所述的导电结构的制造方法，其特征在于，形成所述氮化物层的方法包括对所述第一金属层进行电浆轰击，而所述电浆轰击的气体来源包括氮气。

16.根据权利要求10所述的导电结构的制造方法，其特征在于，对所述第一金属层、所述氮化物层与所述第二金属层进行图案化处理的方法包括：

以光阻图案作为屏蔽，对所述第一金属层、所述氮化物层与所述第二金属层进行蚀刻。

17.根据权利要求16所述的导电结构的制造方法，其特征在于，所述第一金属层、所述氮化物层与所述第二金属层通过蚀刻药液或电浆来蚀刻，其中所述蚀刻药液的成分含有水、过氧化氢以及盐类材料，所述盐类材料为无氟无机盐或含氟氨盐。

18.根据权利要求10所述的导电结构的制造方法，其特征在于，所述板材为玻璃基板。

19.根据权利要求10所述的导电结构的制造方法，其特征在于，所述板材包括：

基板；以及

绝缘层，所述绝缘层位于所述基板上，并具有所述上表面。

20.根据权利要求10所述的导电结构的制造方法，其特征在于，所述第二金属层为铜金属层。