[发明专利]一种可实现全彩的荧光透明涂层、制备方法及应用该荧光透明涂层的发光装置无效
申请号: | 201210173129.3 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN102702934A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 张涛;李阳;张志坤 | 申请(专利权)人: | 广东普加福光电科技有限公司 |
主分类号: | C09D163/10 | 分类号: | C09D163/10;C09D175/14;C09D167/06;C09D171/00;C09D133/08;C09D7/12;C09D11/10;F21K2/08 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 禹小明;王楚鸿 |
地址: | 529000 广东省江门市国家高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 全彩 荧光 透明 涂层 制备 方法 应用 发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及量子点应用领域,具体涉及一种可实现全彩的荧光透明涂层及其制备方法,以及应用该荧光透明涂层组成的发光装置。
背景技术
量子点又称为半导体纳米晶体,当受到光或电的刺激,量子点便会发出特定的荧光光线,荧光的颜色由量子点的组成材料和大小形状决定。这一特性使得量子点能够改变激发光源发出的光线颜色。采用不同组成或尺寸的量子点,能够得到色彩丰富的光线。目前世界各国都在研究量子点在全彩方面的应用,但主要在显示领域。
三星已开发出采用量子点技术的全彩色有源矩阵显示屏。相比目前手机、MP3使用屏幕,量子点显示屏更亮、更节能、价格也更低廉。其量子点涂层的制备方法如下:首先将量子点溶液涂在硅板上,然后蒸发,再将突起部分进行压制成量子点层,去掉表层后转压到玻璃基板或塑料基板上,该过程就实现了量子点到基板的转移。
麻省理工学院(MIT)的Polina Anikeeva及Jonathan Halpert等人利用CdSe、ZnS、ZnSe层与半导体化合物ZnCdS及ZnCdSe,合成发光范围足以涵盖可见光波段的胶状量子点。他们采用一种能与各类量子点都相容的有机基板,并利用一种简单的方法将量子点沉积在基材上:先以旋转铸模法(spin casting)在弹性体印章上形成量子点单层(QD monolayer),再将此单层印在元件结构内。该方法能独立制作量子点,因此各类颜色的量子点都可以使用相同的元件结构,通过简单而便宜的步骤同时沉积红、绿及蓝量子点作为画素。
虽然已知的几种量子点涂层方法各有优点,但是还存在着涂层制备方法比较繁琐、效率低、难以进行大面积涂层、固化速度较慢等缺点。
UV固化油墨是近三、四十年才出现和兴起的新型油墨,其作用机理是通过在油墨系统自身内加入的光引发剂和催化剂,吸收外部施加的足够紫外线和电子束能量而激发交联固化反应,最终达致油墨成膜的目的。因此UV固化油墨干燥速度快,特别是在非吸收性的基板上,能够直接印刷的承印物范围最广泛。
发明内容
本发明的目的在于提供一种简单、高效、灵活、可大面积喷绘、固化速度快且可实现全彩的荧光透明涂层及其制备方法。
为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:
一种可实现全彩的荧光透明涂层,其特征在于,由量子点和UV固化透明墨组成。
所述的量子点为元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半导体化合物或其对应的核壳结构;具体所述的元素周期表II-VI族半导体化合物,由二元化合物包括CdSe,CdTe,ZnS,ZnSe,ZnTe,ZnO,HgS,HgSe,HgTe,三元化合物包括CdSeS,CdSeTe,CdSTe,ZnSeS,ZnSeTe,ZnSTe,HgSeS,HgSeTe,HgSTe,CdZnS,CdZnSe,CdZnTe,CdHgS,CdHgSe,CdHgTe,HgZnS,HgZnSe和四元化合物包括CdZnSeS,CdZnSeTe,CdZnSTe,CdHgSeS,CdHgSeTe,CdHgSTe,HgZnSeS,HgZnSeTe,HgZnSTe组成;元素周期表III-V族半导体化合物,由二元化合物包括GaN,GaP,GaAs,GaSb,AlN,AlP,AlAs, AlSb,InN,InP,InAs,InSb,三元化合物包括GaNP,GaNAs,GaNSb,GaPAs,GaPSb,AlNP,AlNAs,AlNSb,AlPAs,AlPSb,InNP,InNAs,InNSb,InPAs,InPSb,GaAlNP和四元化合物包括GaAlNAs,GaAlNSb,GaAlPAs,GaAlPSb,GaInNP,GaInNAs,GaInNSb,GaInPAs, GaInPSb,InAlNP,InAlNAs,InAlNSb,InAlPAs,InAlPSb组成;元素周期表IV-VI族半导体化合物,由二元化合物包括SnS,SnSe,SnTe,PbS,PbSe,PbTe,三元化合物包括SnSeS,SnSeTe,SnSTe,PbSeS,PbSeTe,PbSTe,SnPbS,SnPbSe,SnPbTe和四元化合物包括SnPbSSe,SnPbSeTe,SnPbSTe组成;元素周期表IV族半导体化合物,由Si,Ge和二元化合物包括SiC,SiGe组成;所述核壳结构为以前面所述的元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半导体化合物为核,以CdSe,CdS,ZnSe,ZnS,CdO,ZnO,SiO2中的一种或多种为壳的核壳结构量子点。
上述的量子点质量百分含量为1~25%,
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