[发明专利]一种可实现全彩的荧光透明涂层、制备方法及应用该荧光透明涂层的发光装置

权利要求书

1.一种可实现全彩的荧光透明涂层，其特征在于，由量子点和UV固化透明墨组成。

2.根据权利要求1所述的一种可实现全彩的荧光透明涂层，其特征在于，所述的量子点为元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半导体化合物或其对应的核壳结构；具体所述的元素周期表II-VI族半导体化合物，由二元化合物包括CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，三元化合物包括CdSeS，CdSeTe，CdSTe，ZnSeS，ZnSeTe，ZnSTe，HgSeS，HgSeTe，HgSTe，CdZnS，CdZnSe，CdZnTe，CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，HgZnS，HgZnSe和四元化合物包括CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe，HgZnSTe组成；元素周期表III-V族半导体化合物，由二元化合物包括GaN，GaP，GaAs，GaSb，AlN，AlP，AlAs， AlSb，InN，InP，InAs，InSb，三元化合物包括GaNP，GaNAs，GaNSb，GaPAs，GaPSb，AlNP，AlNAs，AlNSb，AlPAs，AlPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaAlNP和四元化合物包括GaAlNAs，GaAlNSb，GaAlPAs，GaAlPSb，GaInNP，GaInNAs，GaInNSb，GaInPAs， GaInPSb，InAlNP，InAlNAs，InAlNSb，InAlPAs，InAlPSb组成；元素周期表IV-VI族半导体化合物，由二元化合物包括SnS，SnSe，SnTe，PbS，PbSe，PbTe，三元化合物包括SnSeS，SnSeTe，SnSTe，PbSeS，PbSeTe，PbSTe，SnPbS，SnPbSe，SnPbTe和四元化合物包括SnPbSSe，SnPbSeTe，SnPbSTe组成；元素周期表IV族半导体化合物，由Si，Ge和二元化合物包括SiC，SiGe组成；所述核壳结构为以前面所述的元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、IV族半导体化合物为核，以CdSe，CdS，ZnSe，ZnS，CdO，ZnO，SiO2中的一种或多种为壳的核壳结构量子点。

3.根据权利要求1所述的一种可实现全彩的荧光透明涂层，其特征在于，所述的量子点质量百分含量为1～25%，所述的UV固化透明墨质量百分含量为75～99%。

4.根据权利要求1所述的一种可实现全彩的荧光透明涂层，其特征在于，所述的UV固化透明墨为：未添加颜料的UV固化油墨产品，包括环氧丙烯酸酯类UV固化油墨、聚氨酯丙烯酸酯类UV固化油墨、聚酯丙烯酸酯类UV固化油墨、聚醚丙烯酸酯类UV固化油墨、聚丙烯酸丙酯和不饱和聚酯类UV固化油墨中的一种或多种。

5.一种可实现全彩的荧光透明涂层的制备方法，其特征在于：该制备方法的步骤为：

步骤一：将量子点和UV固化透明墨加入到料桶中经分散机搅拌30～120min；

步骤二：加入粒径为0.2mm的氧化锆珠，研磨3-8小时； 

步骤三：将研磨好的含量子点的UV固化透明墨通过喷绘机在基材上印刷出目标图像；

步骤四：在印刷目标图像的同时或在印刷目标图像之后进行紫外光照射使之固化。

6.根据权利要求5所述的一种可实现全彩的荧光透明涂层的制备方法，其特征在于，所述含量子点的UV固化透明墨在30℃的粘度为3～100mPaS。

7.根据权利要求5所述的一种可实现全彩的荧光透明涂层的制备方法，其特征在于，所述的紫外光照射固化的条件为：紫外光的辐射量为10～1500W/cm，照射时间为0.5～300秒。

8.应用该荧光透明涂层的发光装置，其特征在于，将可实现全彩的量子点与UV固化透明墨混合后按照权利要求5所述的方法印刷在基板上；然后将上述固化有荧光涂层的基板裁剪成需要的尺寸和形状，并与激发荧光的光源组装成发光装置。