[发明专利]功率模块及功率模块的制造方法

权利要求书

1.一种功率模块，具备在绝缘层的一面配设有电路层的功率模块用基板和搭载于所述电路层上的半导体元件，其特征在于，

在所述电路层的一面形成有由含有玻璃成分的含玻璃Ag膏的烧成体构成的第1烧成层，

在该第1烧成层上形成有由氧化银还原的Ag烧成体构成的第2烧成层。

2.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，

所述第1烧成层具备有形成于电路层的一面的玻璃层和层叠于该玻璃层上的Ag层，

所述Ag层上分散有玻璃粒子。

3.如权利要求1或2所述的功率模块，其特征在于，

所述第2烧成层成为包含氧化银和还原剂的氧化银膏的烧成体。

4.如权利要求3所述的功率模块，其特征在于，

所述氧化银膏除所述氧化银及还原剂外还含有Ag粒子。

5.如权利要求1至4中任一项所述的功率模块，其特征在于，

所述绝缘层为选自AlN、Si₃N₄或Al₂O₃的陶瓷基板。

6.一种功率模块的制造方法，所述功率模块具备在绝缘层的一面配设有电路层的功率模块用基板和搭载于所述电路层上的半导体元件，其特征在于，所述制造方法具备：

通过在所述电路层的一面涂布含有玻璃成分的含玻璃Ag膏并进行加热处理来形成第1烧成层的工序；

在所述第1烧成层上涂布包含氧化银和还原剂的氧化银膏的工序；

在涂布好的氧化银膏上层叠半导体元件的工序；及

将所述半导体元件和所述功率模块用基板以层叠的状态进行加热来在所述第1烧成层上形成第2烧成层的工序，

并且，接合所述半导体元件和所述电路层。

7.如权利要求6所述的功率模块的制造方法，其特征在于，

在形成第2烧成层的工序中的所述氧化银膏的烧成温度在150℃以上400℃以下。

8.如权利要求6或7所述的功率模块的制造方法，其特征在于，

形成所述第1烧成层的工序中的所述含玻璃Ag膏的烧成温度在350℃以上645℃以下。

9.如权利要求6至8中任一项所述的功率模块的制造方法，其特征在于，

在形成所述第2烧成层的工序中，将所述半导体元件和所述功率模块用基板以向层叠方向加压的状态进行加热。

10.如权利要求6至9中任一项所述的功率模块的制造方法，其特征在于，

所述氧化银膏除所述氧化银及所述还原剂外还含有Ag粒子。